[發明專利]一種吸波器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110769667.8
• 申請日: 2021-07-07
• 公開（公告）號: CN113571919B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 朱朋飛;李勃;張偉喆;秦政;陳勁
• 申請（專利權）人: 佛山（華南）新材料研究院
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 李素蘭;何鍵云

1.一種吸波器件，其特征在于，包括：

吸波膜，所述吸波膜由鐵粉和樹脂制成；

夾在吸波膜之間的光子晶體，所述光子晶體包括第一晶體層和第二晶體層，所述第一晶體層和第二晶體層堆疊形成木堆結構；其中，所述第一晶體層由多根第一介質棒組成，所述第二晶體層由多根的第二介質棒組成，所述第一介質棒由漿料A制成，所述第二介質棒由漿料B制成，所述漿料A和漿料B的彈性模量大于粘性模量，且具有粘彈逆變性，所述漿料A和漿料B均由聚二甲基硅氧烷和陶瓷材料制成，其中，漿料A的介電常數不等于漿料B的介電常數。

2.如權利要求1所述的吸波器件，其特征在于，所述吸波膜由下述方法制得：

按配比將鐵粉和樹脂混合均勻，形成漿料C；

采用壓延設備將漿料C壓平，形成厚度為1～5mm的吸波膜。

3.如權利要求2所述的吸波器件，其特征在于，所述漿料C在壓平之前，在75～90℃下預熱8～15min；

所述壓延設備包括壓延棍，所述壓延棍在壓延漿料C之前預熱到60～80℃；

所述壓延棍的預熱溫度低于漿料C的預熱溫度。

4.如權利要求1所述的吸波器件，其特征在于，所述吸波膜中含有質量分數為50％～90％的鐵粉。

5.如權利要求1所述的吸波器件，其特征在于，所述第一晶體層由多根第一介質棒組成，所述第二晶體層由多根第二介質棒組成，所述第一介質棒的直徑為100～500μm，相鄰第一介質棒的間距為300～700μm，所述第二介質棒的直徑為100～500μm，相鄰第二介質棒的間距為300～700μm。

6.如權利要求1所述的吸波器件，其特征在于，所述陶瓷材料為鈦酸鋇和/或氧化鋯；

若漿料A中陶瓷材料的種類與漿料B中陶瓷材料的種類相同，則漿料A中陶瓷材料的含量大于或小于漿料B中陶瓷材料的含量，以獲得介電常數不同的漿料A和漿料B；或者，

若漿料A中陶瓷材料的種類與漿料B中陶瓷材料的種類不相同，則漿料A中陶瓷材料的含量等于漿料B中陶瓷材料的含量，以獲得介電常數不同的漿料A和漿料B。

7.如權利要求6所述的吸波器件，其特征在于，漿料A中的陶瓷材料和漿料B中的陶瓷材料均為鈦酸鋇，其中，漿料A中鈦酸鋇的含量大于或小于漿料B中鈦酸鋇的含量，以獲得介電常數不同的漿料A和漿料B。

8.如權利要求1所述的吸波器件，其特征在于，所述光子晶體由下述方法制成：

制備漿料，所述漿料的彈性模量大于粘性模量，且具有粘彈逆變性，所述漿料由聚二甲基硅氧烷和陶瓷材料制成，其中，所述漿料分為漿料A和漿料B，漿料A的介電常數不等于漿料B的介電常數；

采用無膜直寫3D打印設備將漿料A形成第一晶體層，將漿料B形成第二晶體層，其中，所述第一晶體層和第二晶體層堆疊形成木堆結構，得到光子晶體半成品；

將光子晶體半成品進行固化，得到光子晶體。

9.如權利要求8所述的吸波器件，其特征在于，將漿料裝入無膜直寫3D打印設備的料筒中，將無膜直寫3D打印設備的工作輸入氣壓設為480～580Kpa，工作氣體輸出設為10～100psi。

10.一種吸波器件的制備方法，其特征在于，包括：

制備吸波膜，按配比將鐵粉和樹脂混合均勻，形成漿料C，采用壓延設備將漿料C壓平，形成厚度為預設厚度的吸波膜；

制備光子晶體，采用無膜直寫3D打印設備將漿料A形成第一晶體層，將漿料B形成第二晶體層，其中，所述漿料A和漿料B的彈性模量大于粘性模量，且具有粘彈逆變性，所述漿料A和漿料B均由聚二甲基硅氧烷和陶瓷材料制成，且漿料A的介電常數不等于漿料B的介電常數，所述第一晶體層和第二晶體層堆疊形成木堆結構，得到光子晶體半成品；將光子晶體半成品進行固化，得到光子晶體；

將光子晶體夾在吸波膜之間，得到吸波器件。