[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110767947.5
• 申請(qǐng)日: 2021-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN113675145B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 元大中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高德志

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)；在所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成犧牲側(cè)墻；在所述犧牲側(cè)墻表面上形成外部側(cè)墻材料層；對(duì)所述外部側(cè)墻材料層進(jìn)行穿孔處理，在所述外部側(cè)墻材料層中形成暴露出犧牲側(cè)墻表面的針孔；通過所述針孔去除所述犧牲側(cè)墻，形成空氣隙；形成封閉所述針孔的蓋層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述外部側(cè)墻材料層的材料與所述犧牲側(cè)墻的材料不相同。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側(cè)墻的材料為氧化物，所述外部側(cè)墻材料層的材料為氮化物層、碳化物層或者碳氮化物層。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述穿孔處理為離子注入，進(jìn)行離子注入時(shí)，注入的離子通過轟擊和/或化學(xué)反應(yīng)的方式去除部分外部側(cè)墻材料層，在所述外部側(cè)墻材料層中形成暴露出犧牲側(cè)墻表面的針孔。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側(cè)墻的材料為氧化硅，所述外部側(cè)墻材料層的材料為氮化硅。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述離子注入注入的雜質(zhì)離子為BF3或AsH3，注入能量為1KeV～10KeV，注入的角度為10°～45°。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝通過所述針孔去除所述犧牲側(cè)墻。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側(cè)墻的材料為氧化硅，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為氫氟酸溶液。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述外部側(cè)墻材料層除了形成在所述犧牲側(cè)墻表面上，還形成在所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的頂部表面上。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述外部側(cè)墻材料層僅形成在所述犧牲側(cè)墻表面上。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成犧牲側(cè)墻之前，還包括步驟：在所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和頂部表面上形成內(nèi)部側(cè)墻材料層；在形成內(nèi)部側(cè)墻材料層后，在所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的內(nèi)部側(cè)墻材料層的表面形成犧牲側(cè)墻。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述內(nèi)部側(cè)墻材料層的材料與所述犧牲側(cè)墻的材料不相同。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述外部側(cè)墻材料層表面上和導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)頂部表面上形成蓋層，所述蓋層封閉所述針孔。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成所述蓋層。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)為存儲(chǔ)器的位線結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底包括半導(dǎo)體襯底和位于半導(dǎo)體襯底上的底層介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底中具有若干分立的有源區(qū)，每一個(gè)有源區(qū)中具有兩個(gè)埋入式柵極；所述底層介質(zhì)層中形成有與所述兩個(gè)埋入式柵極之間的有源區(qū)連接的位線接觸結(jié)構(gòu)；所述底層介質(zhì)層上形成有與相應(yīng)的位線接觸結(jié)構(gòu)連接的位線結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)為金屬線互連結(jié)構(gòu)、插塞結(jié)構(gòu)、大馬士革互連結(jié)構(gòu)或柵極結(jié)構(gòu)。