[發(fā)明專利]電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)及電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110766769.4 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113507094B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳昊;尹喜珍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海芯跳科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H7/18 | 分類號(hào)： | H02H7/18;H02J7/00 |
| 代理公司： | 上海段和段律師事務(wù)所 31334 | 代理人： | 郭國(guó)中;李佳俊 |
| 地址： | 201100 上海市閔*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電池 保護(hù) 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括數(shù)字邏輯控制模塊和模擬模塊；
所述模擬模塊包括電阻分壓模塊、電壓基準(zhǔn)源模塊、電流基準(zhǔn)源模塊、振蕩器、異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊、上下拉控制模塊及充電器檢測(cè)模塊；
所述電阻分壓模塊的輸出端連接所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸入端；
所述電壓基準(zhǔn)源模塊的輸出端分別連接所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸入端和所述振蕩器的輸入端；
所述電流基準(zhǔn)源模塊的輸出端分別連接所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸入端和所述振蕩器的輸入端；
所述振蕩器的輸出端連接所述數(shù)字邏輯控制模塊的輸入端，所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸出端連接所述數(shù)字邏輯控制模塊的輸入端；
所述數(shù)字邏輯控制模塊的輸出端分別連接所述振蕩器的輸入端、所述上下拉控制模塊的輸入端及所述充電器檢測(cè)模塊的輸入端；所述數(shù)字邏輯控制模塊的第一引腳作為CTL引腳；
所述上下拉控制模塊的輸出端分別連接所述充電器檢測(cè)模塊的輸入端和所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸入端并作為VM引腳；
所述充電器檢測(cè)模塊的輸出端分別連接所述振蕩器的輸入端、所述電阻分壓模塊的輸入端、所述異常信號(hào)檢測(cè)比較器組模塊的輸入端、所述電壓基準(zhǔn)源模塊的輸入端及所述電流基準(zhǔn)源模塊的輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括上電復(fù)位模塊，所述上電復(fù)位模塊的輸出端連接所述數(shù)字邏輯控制模塊的輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上電復(fù)位模塊包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七M(jìn)OS管Q7、第八MOS管Q8及電容器C2；
所述第一MOS管Q1的源極分別連接所述第三MOS管Q3的源極和所述第八MOS管Q8的漏極并作為VDD引腳；所述第一MOS管Q1的漏極連接所述第二MOS管Q2的源極；所述第一MOS管Q1的柵極分別連接所述第二MOS管Q2的漏極、所述電容器C2的一端、所述第三MOS管Q3的柵極、所述第四MOS管Q4的柵極、所述第五MOS管Q5的柵極及所述第六MOS管Q6的柵極；
所述第二MOS管Q2的柵極分別連接所述電容器C2的另一端、所述第六MOS管Q6的源極及所述第七M(jìn)OS管Q7的漏極并作為GND引腳；
所述第三MOS管Q3的漏極分別連接所述第七M(jìn)OS管Q7的源極和所述第四MOS管Q4的源極；
所述第四MOS管Q4漏極分別連接所述第五MOS管Q5的漏極、所述第七M(jìn)OS管Q7的柵極及所述第八MOS管Q8的柵極并作為VOUT引腳；
所述第五MOS管Q5的源極分別連接所述第六MOS管Q6的漏極和所述第八MOS管Q8的源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上下拉控制模塊包括第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第一電阻R1及第二電阻R2；
所述第九MOS管Q9的源極作為VDD引腳，所述第九MOS管Q9的漏極連接所述第一電阻R1的一端，所述第一電阻R1的另一端連接所述第二電阻R2的一端并作為VM引腳，所述第二電阻R2的另一端連接所述第十MOS管Q10的漏極，所述第十MOS管Q10的源極作為GND引腳；
所述第九MOS管Q9的柵極作為PU引腳，所述第十MOS管Q10的柵極作為PD引腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第九MOS管Q9為P溝增強(qiáng)型MOS管PM5。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第十MOS管Q10為N溝增強(qiáng)型MOS管NM3。
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