[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110766682.7 | 申請日: | 2021-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN113921568A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發明(設計)人: | 崔俊呼;金旼昶;梁恩敬 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
陣列基底,包括設置在顯示區域中的像素陣列;
封裝基底,設置為面對所述陣列基底;以及
密封構件,設置在密封區域中,所述密封構件設置在所述陣列基底與所述封裝基底之間以將所述陣列基底與所述封裝基底結合,
其中,所述陣列基底包括:
有機絕緣層,設置在所述顯示區域與所述密封區域之間的第一外圍區域中;
電力總線,設置在所述第一外圍區域中,所述電力總線包括第一布線層和設置在所述第一布線層上的第二布線層,所述第一布線層和所述第二布線層中的每個與所述有機絕緣層疊置;以及
補償圖案,設置在所述密封構件下方并沿著所述密封構件的外邊緣延伸,所述補償圖案包括第一補償層和第二補償層,其中:
所述第一補償層連接到所述第一布線層,并且
所述第二補償層設置在所述第一補償層上并且連接到所述第二布線層。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一補償層和所述第二補償層中的每個具有包括鋁層的多層結構。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述補償圖案的厚度等于或大于
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述補償圖案的外邊緣與所述密封構件的所述外邊緣之間的距離等于或小于200μm。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述補償圖案還包括設置在所述第一補償層下方的第三補償層。
6.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述陣列基底還包括設置在所述第一補償層與所述第三補償層之間的無機絕緣層。
7.如權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第一補償層通過穿過所述無機絕緣層而電連接到所述第三補償層。
8.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第三補償層包括鉬。
9.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第三補償層沿著所述密封構件的所述外邊緣延伸。
10.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述補償圖案還包括設置在所述第三補償層下方的第四補償層。
11.如權利要求10所述的顯示裝置,其中,所述第四補償層包括與所述第三補償層的材料相同的材料。
12.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述陣列基底還包括無機中間層,所述無機中間層設置在所述第一補償層與所述第二補償層之間并且包括無機材料。
13.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述像素陣列包括有機發光二極管。
14.如權利要求13所述的顯示裝置,其中,所述電力總線被構造為向所述有機發光二極管供應電力電壓。
15.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
陣列基底,包括設置在顯示區域中的像素陣列;
封裝基底,設置為面對所述陣列基底;以及
密封構件,設置在密封區域中,所述密封構件設置在所述陣列基底與所述封裝基底之間以將所述陣列基底與所述封裝基底結合,
其中,所述陣列基底包括:
電力總線,設置在所述顯示區域與所述密封區域之間的第一外圍區域中;
上補償層,設置在所述密封構件下方并沿著所述密封構件的外邊緣延伸,其中,所述電力總線的至少一部分和所述上補償層設置在同一層上;
下補償層,設置在所述上補償層下方并沿著所述上補償層延伸,并且包括與所述上補償層的材料不同的材料;以及
無機絕緣層,設置在所述上補償層與所述下補償層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





