[發明專利]異質結電池及異質結電池制備方法在審
| 申請號: | 202110765905.8 | 申請日: | 2021-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN113488550A | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 徐曉華;周肅;姚真真;張良;龔道仁;王文靜;莊挺挺;楊龍;魏文文 | 申請(專利權)人: | 安徽華晟新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 安志嬌 |
| 地址: | 242000 安徽省宣城市宣城*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 異質結 電池 制備 方法 | ||
1.一種異質結電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
對N型襯底原片進行雙面制絨,得到雙絨N型襯底;
對所述雙絨N型襯底的其中一側進行腐蝕,得到一側為絨面、另一側為光面的待加工N型襯底;
采用所述待加工N型襯底制備異質結電池;
其中,所述待加工N型襯底的光面對300nm-1100nm波長范圍的平均反射率介于30-55%之間。
2.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,對N型襯底原片進行雙面制絨,得到雙絨N型襯底的步驟中,包括:
將所述N型襯底原片放置在濃度為1%-8%的NaOH溶液或KOH溶液中腐蝕,進行雙面制絨,得到所述雙絨N型襯底,其中,反應溫度范圍為60℃-90℃,反應時間范圍為1min-20min;
其中,所述N型襯底原片為80μm-180μm的N型單晶硅片。
3.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,對N型襯底原片進行雙面制絨,得到雙絨N型襯底的步驟之前,還包括:
將所述N型襯底原片放置在濃度為10%-30%的NaOH溶液或KOH溶液中進行腐蝕,去除所述N型襯底原片表面的損傷層,其中,反應溫度范圍為60℃-90℃,反應時間范圍為2min-20min。
4.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,對所述雙絨N型襯底的其中一側進行腐蝕,得到一側為絨面、另一側為光面的待加工N型襯底的步驟中,包括:
在所述雙絨N型襯底的表面制備出氧化硅層;
采用酸性溶液清洗所述雙絨N型襯底的其中一側的氧化硅層;
采用堿性溶液對所述雙絨N型襯底去除所述氧化硅層的一側進行腐蝕;
采用酸性溶液清洗所述雙絨N型襯底的另一側的氧化硅層;
水洗所述雙絨N型襯底,得到一側為絨面、另一側為光面的待加工N型襯底。
5.根據權利要求4所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,在所述雙絨N型襯底的表面制備出氧化硅層的步驟中,包括:
將所述雙絨N型襯底放在管式擴散爐里并通入氧氣,在兩側的絨面表面氧化出氧化硅層,其中,反應溫度范圍為700℃-1200℃,管式擴散爐里的壓強范圍為0.01MPa-2.5MPa,氧化時間為10min-120min,形成的所述氧化硅層的厚度范圍為20nm-1000nm。
6.根據權利要求4所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,采用酸性溶液清洗所述雙絨N型襯底的另一側的氧化硅層的步驟中,包括:
在鏈式清洗設備中用濃度為0.8%-20%的HF溶液腐蝕掉所述雙絨N型襯底的其中一側的氧化硅層,其中,反應溫度范圍為20℃-25℃,反應時間范圍為1min-20min。
7.根據權利要求4所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,采用堿性溶液對所述雙絨N型襯底的其中一側進行腐蝕的步驟中,包括:
將一側有氧化硅層的所述雙絨N型襯底放在濃度為3%-20%的NaOH溶液或KOH溶液里,溫度范圍為80℃-90℃,對所述雙絨N型襯底去除所述氧化硅層的一側進行腐蝕。
8.根據權利要求4所述的異質結電池的制備方法,其特征在于,采用酸性溶液清洗所述雙絨N型襯底的一側的氧化硅層的步驟中,包括:
采用濃度為0.8%-5%的HF溶液清洗掉所述雙絨N型襯底的一側的氧化硅層,溫度范圍為20℃-25℃,反應時間范圍為1min-20min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





