[發(fā)明專利]一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110765904.3
• 申請(qǐng)日: 2021-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113451431A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐曉華;辛科;周肅;龔道仁;王文靜;李晨;梅志綱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/0288;H01L31/072;H01L31/074;H01L31/20
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 安志嬌

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括：N型襯底，所述N型襯底的一側(cè)自內(nèi)而外至少設(shè)置有第一鈍化層與N型摻雜層；所述N型襯底的另一側(cè)自內(nèi)而外至少設(shè)置有第二鈍化層與P型摻雜層；其特征在于，所述N型摻雜層包括層疊設(shè)置的種子層與精細(xì)晶硅層；

所述種子層為N型非晶硅薄膜層，所述種子層與所述第一鈍化層接觸；

所述精細(xì)晶硅層為N型納米晶氧化硅薄膜層、N型微晶氧化硅薄膜層、N型納米晶碳化硅薄膜層以及N型微晶碳化硅薄膜層中的任意一種或多種的結(jié)合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，

所述N型摻雜層還包括接觸層，所述接觸層與所述第一透明導(dǎo)電層接觸，所述接觸層為N型微晶硅薄膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，

所述N型摻雜層的總厚度范圍為5nm－25nm；

所述種子層的厚度范圍為0.5nm－3nm；

所述接觸層的厚度范圍為0.5nm－2nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1－3任一項(xiàng)所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，

所述N型摻雜層背對(duì)所述N型襯底的一面自內(nèi)而外設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層和第一電極；

所述P型摻雜層背對(duì)所述N型襯底的一面自內(nèi)而外設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層和第二電極。

5.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在N型襯底的一側(cè)制備第一鈍化層，在N型襯底的另一側(cè)制備第二鈍化層；

在所述第一鈍化層的表面形成N型摻雜層，其中，所述N型摻雜層包括層疊設(shè)置的種子層與精細(xì)晶硅層；所述種子層為N型非晶硅薄膜層；所述精細(xì)晶硅層包括N型納米晶氧化硅薄膜層、N型微晶氧化硅薄膜層、N型納米晶碳化硅薄膜層以及N型微晶碳化硅薄膜層的至少一種；

在所述第二鈍化層的表面形成P型摻雜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，

在所述第一鈍化層的表面形成N型摻雜層還包括在所述精細(xì)晶硅層的表面制備接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，形成所述種子層時(shí)的工藝參數(shù)為：

鍍膜腔室內(nèi)PH₃與SiH₄的比例范圍為：1：2－2：1之間；

鍍膜腔室內(nèi)SiH₄與H₂的比例范圍為：1：10－1：1之間；

鍍膜腔室內(nèi)的工藝氣體的壓力范圍為：0.2mBar－1mBar；

鍍膜時(shí)電源的功率密度范圍為：153W/m²－612W/m²；

工藝時(shí)間范圍為：10s－100s；

工藝溫度范圍為：175℃－220℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在形成所述接觸層時(shí)的工藝參數(shù)為：

鍍膜腔室內(nèi)PH₃與SiH₄的比例范圍為：1：2－2：1之間；

鍍膜腔室內(nèi)SiH₄與H₂的比例范圍為：1：200－1：50之間；

鍍膜腔室內(nèi)的工藝氣體的壓力范圍為：0.5mBar－5mBar；

鍍膜時(shí)電源的功率密度范圍為：612W/m²－2296W/m²；

工藝時(shí)間范圍為：10s－100s；

工藝溫度范圍為：175℃－220℃。