[發明專利]一種顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202110765152.0
• 申請日: 2021-07-07
• 公開（公告）號: CN113571541A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 張麗君
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/54;H01L33/62
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本發明涉及一種顯示面板及其制備方法。顯示面板包括：基板、薄膜晶體管器件以及發光二極管器件。本發明通過將薄膜晶體管器件與發光二極管器件設置于基板的兩側，由此避免將發光二極管器件轉移至薄膜晶體管器件之上，一方面，避免對薄膜晶體管器件造成壓力，導致薄膜晶體管器件損傷短路；另一方面，消除現有技術中薄膜晶體管器件與發光二極管器件之間的高度差，由此避免影響薄膜晶體管器件的封裝性能，防止水氧侵蝕薄膜晶體管器件；最后，發光二極管器件不必與薄膜晶體管器件錯開設置，且發光二極管器件與薄膜晶體管器件間有基板阻隔，電容耦合影響低，可以極大的節省的設計空間。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術

微發光二極管(英文全稱：Micro Light-Emitting Diode，簡稱Micro LED)技術是指以自發光的微米量級的LED為發光像素單元，將其組裝到驅動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術。相較于現有的液晶顯示器(英文全稱：Liquid Crystal Display，簡稱LCD)技術、有機發光二極管(英文全稱：Organic Light-Emitting Diode，簡稱OLED)技術，MicroLED顯示技術在亮度、分辨率、對比度、能耗、使用壽命、響應速度和熱穩定性等方面具有更大的優勢。

首先，大量的Micro LED轉移至薄膜晶體管器件上會對薄膜晶體管器件產生壓力，易造成薄膜晶體管器件內膜層斷裂短路。其次，Micro LED轉移至薄膜晶體管器件上后，Micro LED遠離基板的一側的表面與薄膜晶體管器件遠離基板的一側的表面存在高度差，由此影響薄膜晶體管器件的封裝性能，進而導致水氧侵蝕薄膜晶體管器件。最后，由于拼接顯示設計上需壓縮像素空間以縮減拼縫，但是Micro LED轉移至薄膜晶體管器件上需要將Micro LED與薄膜晶體管器件并列排布，進而導致無法滿足高PPI像素設計或拼接顯示設計的需求。

發明內容

本發明的目的是提供一種顯示面板及其制備方法，其能夠解決現有顯示面板中存在的Micro LED的表面與薄膜晶體管器件的表面存在高度差，由此影響薄膜晶體管器件的封裝性能，進而導致水氧侵蝕薄膜晶體管器件等問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種顯示面板，其包括：基板；第一電極，設置于所述基板的一側的表面上；薄膜晶體管器件，設置于所述第一電極遠離所述基板的一側；所述薄膜晶體管器件內設有漏極；以及發光二極管器件，設置于所述基板遠離所述薄膜晶體管器件的一側；所述發光二極管器件包括：第二電極，電連接至所述第一電極；以及第三電極，電連接至所述漏極。

進一步的，所述顯示面板還包括：第一邦定電極，設置于所述基板與所述發光二極管器件之間；以及第二邦定電極，與所述第一邦定電極同層設置，且與所述第一邦定電極相互間隔設置；其中，所述第一邦定電極一端電連接至所述第一電極，另一端電連接至所述第二電極；其中，所述第二邦定電極一端電連接至所述漏極，另一端電連接至所述第三電極。

進一步的，所述基板上貫穿設有第一通孔及第二通孔；所述第一邦定電極通過所述第一通孔電連接至所述第一電極；所述第二邦定電極通過所述第二通孔電連接至所述漏極。

進一步的，所述顯示面板還包括：第四電極，與所述第一電極同層設置，且與所述第一電極相互間隔設置；所述第二邦定電極通過所述第二通孔電連接至所述第四電極，所述第四電極電連接至所述漏極。

進一步的，所述顯示面板還包括：封裝層，覆蓋于所述發光二極管器件遠離所述基板的一側的表面上，且延伸覆蓋于所述基板上。

進一步的，所述顯示面板還包括：保護層，設置于所述薄膜晶體管器件遠離所述基板的一側的表面上。

進一步的，所述保護層包括：封裝阻隔層、遮光層、平坦層中的一層或多層。