[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110764582.0 | 申請日: | 2021-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN113257883B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐晶晶;李盼;張大成 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶麗;曲鵬 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底;
設(shè)置在所述襯底上的驅(qū)動電路層;
設(shè)置在所述驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu)層,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括像素界定層和有機(jī)發(fā)光層,所述像素界定層界定出多個(gè)子像素區(qū)域,且具有至少部分地暴露所述驅(qū)動電路層的第一開口,所述有機(jī)發(fā)光層位于所述子像素區(qū)域,并與所述像素界定層的第一開口交疊;
以及設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的彩膜結(jié)構(gòu)層,所述彩膜結(jié)構(gòu)層包括彩膜和黑矩陣,所述黑矩陣具有至少部分暴露所述第一開口的第二開口,所述彩膜設(shè)置在所述第二開口內(nèi),所述黑矩陣包括第一子側(cè)邊,且所述第一子側(cè)邊具有折線結(jié)構(gòu);所述第一子側(cè)邊具有多個(gè)折角,在離所述子像素區(qū)域的中心線越遠(yuǎn)的區(qū)域,所述第一子側(cè)邊的折角的數(shù)量越多。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述子像素區(qū)域沿第一方向依次包括中心線、第一參考線、第二參考線、第三參考線和第四參考線,所述第四參考線與所述第一子側(cè)邊遠(yuǎn)離所述中心線一側(cè)的最遠(yuǎn)邊界重合,其中:
所述第一參考線與所述子像素區(qū)域的中心線的距離為k,所述第一參考線與所述第二參考線之間的距離為n1,所述第二參考線與所述第三參考線之間的距離為n2,所述第三參考線與所述第四參考線之間的距離為n3;k+n1+n2+n3=L/2,L為所述子像素區(qū)域沿第一方向的長度;
所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間的折角個(gè)數(shù)x、在所述第一參考線與所述第二參考線之間的折角個(gè)數(shù)y、在所述第二參考線與所述第三參考線之間的折角個(gè)數(shù)z,滿足以下條件:x≤y≤z。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,n1=n2=n3。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間的折角個(gè)數(shù)x≥3;
所述第一子側(cè)邊在所述第一參考線與所述第二參考線之間的折角個(gè)數(shù)y≥3;
所述第一子側(cè)邊在所述第二參考線與所述第三參考線之間的折角個(gè)數(shù)z≥3。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間有至少兩個(gè)折角大致相等;
所述第一子側(cè)邊在所述第一參考線與所述第二參考線之間有至少兩個(gè)折角大致相等;
所述第一子側(cè)邊在所述第二參考線與所述第三參考線之間有至少兩個(gè)折角大致相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間具有至少一個(gè)第一折角,所述第一子側(cè)邊在所述第一參考線與所述第二參考線之間具有至少一個(gè)第二折角,所述第一子側(cè)邊在所述第二參考線與所述第三參考線之間具有至少一個(gè)第三折角,所述第一折角、第二折角和第三折角的角度大致相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間的折角個(gè)數(shù)x≥3,所述第一子側(cè)邊在所述第一參考線與所述第二參考線之間的折角個(gè)數(shù)y≥4,所述第一子側(cè)邊在所述第二參考線與所述第三參考線之間的折角個(gè)數(shù)z≥5。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間包括至少三個(gè)折角:x1、x2、x3,其中,x2與x3大致相等,且x1+x2大致等于360度;
所述第一子側(cè)邊在所述第一參考線與所述第二參考線之間包括至少四個(gè)折角:y1、y2、y3和y4,其中,y1與y2大致相等,且y3+y4大致等于360度;
所述第一子側(cè)邊在所述第二參考線與所述第三參考線之間包括至少四個(gè)折角:z1 、z2、z3和z4,其中,z1與z2大致相等,且z3+z4大致等于360度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子側(cè)邊在所述中心線與所述第一參考線之間具有角度大致相等的至少三個(gè)折角。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





