[發明專利]一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列在審
| 申請號： | 202110763456.3 | 申請日： | 2021-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN113589322A | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 賈志偉;李麗;王安幫;趙彤;李璞;王龍生;郭園園 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | G01S17/931 | 分類號： | G01S17/931;G01S7/481 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 鄧東東;冷錦超 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 面向 激光雷達 vcsel 線性 陣列 | ||
1.一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列，其特征在于，包括半導體襯底（1），m元呈線性陣列的垂直腔面發射激光器VCSEL（2），以及m元光學微透鏡（3）；m元呈線性陣列的VCSEL（2）制備在半導體襯底（1）正面，m元光學微透鏡（3）呈陣列設置在半導體襯底（1）背面；m元VCSEL（2）彼此獨立且輸出m路互不相干的激光信號；VCSEL（2）與光學微透鏡（3）一一對應，光學微透鏡（3）用于將與其相對應的VCSEL（2）發散的激光進行準直并調控出光方向，形成多線激光束（4）。
2.根據權利要求1所述的一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列，其特征在于，所述光學微透鏡（3）直接制備在半導體襯底（1）的背面。
3.根據權利要求1或2所述的一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列，其特征在于，所述光學微透鏡（3）是折射透鏡或是衍射透鏡。
4.根據權利要求1所述的一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列，其特征在于，所述半導體襯底（1）的材質為GaAs、InP、GaSb中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種面向多線激光雷達的VCSEL線性陣列，其特征在于，所述垂直腔面發射激光器VCSEL（2）包括垂直腔諧振結構，所述垂直腔諧振結構由兩側的分布布拉格反射器DBR，和設置在兩側DBR之間的激光器有源區組成，制備在半導體襯底（1）上的DBR的光反射率小于遠離半導體襯底（1）一側的DBR的光反射率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太原理工大學，未經太原理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110763456.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
