[發明專利]銅基石墨烯包覆結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202110763037.X
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113412047B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 時凱;蘇俊宏;梁海鋒;徐均琪;吳慎將;李建超;汪桂霞
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;C01B32/186
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 李鳳鳴

1.銅基石墨烯包覆結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、將銅基片置于勻膠機中，將正膠均勻的覆蓋于銅基片表面，以75℃—90℃對覆蓋正膠的銅基片進行烘烤；

步驟二、將菲林板覆蓋于正膠上，開啟氣吸開關，使菲林板與正膠貼緊；打開紫外曝光燈，對正膠進行曝光；

步驟三、將曝光后的銅基片置于顯影液中完成顯影，之后使用去離子水對銅基片進行多次超聲清洗；

步驟四、在顯影后的銅基片表面涂抹腐蝕溶液，使其對顯影后的銅進行腐蝕，將沒有覆蓋光刻膠的銅刻蝕掉形成與菲林板相同的銅基結構，之后使用去離子水對銅基結構進行多次超聲清洗；

步驟五、將銅基結構置于高溫爐中，密閉后抽真空，當氣壓低于0帕后，向真空室通入氬氣，當流量穩定后，開始退火處理；

步驟六、將退火處理后的銅基結構置于化學氣相沉積系統中，以甲烷作為碳源，氫氣作為還原劑，在銅基結構表面立體生長石墨烯；控制分解速率和成核密度，將石墨烯立體包覆于銅基結構表面，完成雙面疊加銅基石墨烯包覆結構的制備；

所述步驟一中，烘烤時間持續15—20分鐘：

所述步驟二中，曝光時電流為200毫安，時間為25秒；

所述步驟五中，通入氬氣控制氣體流量為20sccm；

所述步驟五中，退火處理時保持700℃持續30分鐘；

所述步驟六中，控制分解速率和成核密度，具體為：以甲烷流量為55sccm，氫氣流量為15sccm，以1020℃持續生長30分鐘；快速降溫后將銅基結構翻面，以甲烷流量為55sccm，氫氣流量為15sccm，以1020℃持續生長10分鐘。

2.根據權利要求1所述銅基石墨烯包覆結構的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，所述銅基片的大小為20*20—50*50毫米。

3.根據權利要求2所述銅基石墨烯包覆結構的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，所述勻膠機的轉速為2200—3000轉每分鐘，正膠旋涂時間為25—40秒。

4.根據權利要求3所述銅基石墨烯包覆結構的制備方法，其特征在于，所述步驟四中，所述的腐蝕溶液為氯化銨溶液或者鹽酸溶液。

5.根據權利要求1所述制備方法制得的雙面疊加銅基石墨烯包覆結構。