[發(fā)明專利]一種封裝產(chǎn)品及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110762929.8 | 申請日: | 2021-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN113380645A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 伍建國;洪永斌 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市德明新微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司: | 深圳市智勝聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44368 | 代理人: | 齊文劍 |
| 地址: | 518102 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 產(chǎn)品 及其 制備 方法 | ||
1.一種封裝產(chǎn)品的制備方法,用于對封裝基板表面電子元件進行封裝,其特征在于,包括,
經(jīng)第一點膠機將流體狀硅膠沿封裝基板側(cè)圍按第一預設高度的構(gòu)筑內(nèi)側(cè)設有封裝區(qū)的硅膠圍欄,其中,所述電子元件位于所述封裝區(qū)內(nèi);
待所述硅膠圍欄固化后,經(jīng)第二點膠機在所述封裝區(qū)內(nèi)將流體狀環(huán)氧樹脂平鋪至第二預設高度,所述第二預設高度小于或等于所述第一預設高度;
按預設烘烤條件對所述環(huán)氧樹脂烘烤使其固化以得到所述封裝產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述經(jīng)第二點膠機在所述封裝區(qū)內(nèi)將流體狀環(huán)氧樹脂平鋪至第二預設高度時,所述封裝基板溫度保持在50-80℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述環(huán)氧樹脂的粘度為17000-38000cps,其粘度保持時間在0.15-3.5h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述硅膠的表干時間為1-20min,表干后的硬度為45-75HA,所述硅膠基于所述封裝基板的粘接強度大于或等于1MPa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述預設烘烤條件包括:烘烤時間為3-3.5h;烘烤溫度為130-150℃。
6.一種如權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法制得的封裝產(chǎn)品,其特征在于,包括,封裝基板、粘設于所述封裝基板表面的環(huán)氧樹脂層、環(huán)設于所述環(huán)氧樹脂層側(cè)圍的硅膠圍欄,所述環(huán)氧樹脂層內(nèi)部包覆有M個連接于所述封裝基板表面的電子元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝產(chǎn)品,其特征在于,所述環(huán)氧樹脂層靠近所述硅膠圍欄的邊沿部分為裁剪區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝產(chǎn)品,其特征在于,所述環(huán)氧樹脂層的彎曲強度大于或等于13.9kg/mm2,硬度為88-92HD,吸水率小于0.8Wt%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





