[發(fā)明專利]一種門極電流可控的IGBT驅(qū)動電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110761920.5 | 申請日： | 2021-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN113572464A | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳曉光;傅俊寅;汪之涵;黃輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳青銅劍技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電流 可控 igbt 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種門極電流可控的IGBT驅(qū)動電路，所述電路包括控制信號端、開通MOSFET管(Q1)、關(guān)斷MOSFET管(Q2)，所述開通MOSFET管(Q1)的漏極與所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的漏極電連接，并均與IGBT的門極電連接，所述開通MOSFET管(Q1)的源極電連接正壓端，所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的源極電連接負壓端，其特征在于，所述門極電流可控的IGBT驅(qū)動電路還包括：
開關(guān)切換模塊，所述開關(guān)切換模塊的輸入端與所述控制信號端電連接，所述開關(guān)切換模塊的輸出端電連接于所述開通MOSFET管(Q1)的柵極及所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的柵極，所述開關(guān)切換模塊用于根據(jù)所述PWM信號控制所述開通MOSFET管(Q1)及所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的導(dǎo)通和關(guān)斷；所述開通MOSFET管(Q1)和所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)中的一個處于導(dǎo)通狀態(tài)時，另一個處于關(guān)斷狀態(tài)；
第一采樣模塊，所述第一采樣模塊的輸入端電連接于所述開通MOSFET管(Q1)的源極，用于在所述開通MOSFET管(Q1)導(dǎo)通時對流經(jīng)所述開通MOSFET管(Q1)的電流進行采樣，并根據(jù)采樣結(jié)果輸出對應(yīng)的第一電壓信號；
第一放大模塊，所述第一放大模塊的第一輸入端與所述第一采樣模塊的輸出端電連接，所述第一放大模塊的第二輸入端電與所述控制信號端電連接，所述第一放大模塊的輸出端電連接于所述開通MOSFET管(Q1)的柵極，所述第一放大模塊用于根據(jù)所述PWM信號調(diào)整放大比例系數(shù)，并對所述第一采樣模塊輸出的第一電壓信號進行放大，以輸出對應(yīng)的第一控制信號，所述第一控制信號用于控制所述開通MOSFET管(Q1)的導(dǎo)通狀態(tài)，以控制IGBT的開通時的門極電流；
第二采樣模塊，所述第二采樣模塊的輸入端電連接于所述關(guān)斷MOSFET管的源極，用于在所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)導(dǎo)通時對流經(jīng)所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的電流進行采樣，并根據(jù)采樣結(jié)果輸出對應(yīng)的第二電壓信號；
第二放大模塊，所述第二放大模塊的第一輸入端所述第二采樣模塊的輸出端電連接，所述第二放大模塊的第二輸入端電與所述控制信號端電連接，所述第二放大模塊的輸出端電連接于所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的柵極，所述第二放大模塊用于根據(jù)所述PWM信號調(diào)整放大比例系數(shù)，并對所述第二采樣模塊輸出的第二電壓信號進行放大，以輸出對應(yīng)的第二控制信號，所述第二控制信號用于控制所述關(guān)斷MOSFET管(Q2)的導(dǎo)通狀態(tài)，以控制IGBT的關(guān)斷時的門極電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的門極電流可控的IGBT驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一放大模塊包括運算放大器(AMP1)、MOSFET管(Q3)、電阻(R1)、電阻(R1)、及電阻(R3)，所述運算放大器(AMP1)的同相輸入端電連接所述第一采樣模塊的輸出端，所述運算放大器(AMP1)的反相輸入端通過所述電阻(R1)電連接于電源(VCC1)，所述運算放大器(AMP1)的反相輸入端還通過所述電阻(R2)電連接于所述MOSFET管(Q3)的漏極，所述MOSFET管(Q3)的源極電連接于所述電源(VCC1)，所述MOSFET管(Q3)的柵極與所述控制信號端電連接，所述運算放大器(AMP1)的反相輸入端還通過所述電阻(R3)與所述運算放大器(AMP1)的輸出端電連接，所述運算放大器(AMP1)的輸出端與所述開通MOSFET管(Q1)的柵極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的門極電流可控的IGBT驅(qū)動電路，其特征在于，所述電阻(R1)的阻值大于所述電阻(R3)的阻值，所述電阻(R3)的阻值大于所述電阻(R2)的阻值。
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