[發明專利]晶圓后處理設備及其應用的通風系統有效
| 申請號: | 202110761669.2 | 申請日: | 2021-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN113488416B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 曹自立;李燈;申兵兵;李長坤;趙德文 | 申請(專利權)人: | 華海清科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300350 天津市津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓后 處理 設備 及其 應用 通風 系統 | ||
1.一種應用于晶圓后處理設備的通風系統,其特征在于,所述通風系統用于在晶圓處理腔室內形成動態氣流,所述通風系統包括位于所述晶圓處理腔室一面的進氣組件和位于所述晶圓處理腔室的相對的另一面的排氣組件,所述排氣組件包括排風背板和環形排風罩,所述晶圓處理腔室內的氣體從排風背板的排風口進入環形排風罩進行匯集,并通過環形排風罩的底部引出結構向下方的排氣管路引出,所述底部引出結構具有平滑過渡的引導面以降低氣體排出的流體阻力,所述引導面的一端與環形排風罩的輪廓相切,所述引導面的另一端與引出后的氣體流動方向相切。
2.如權利要求1所述的通風系統,其特征在于,底部引出結構為喇叭狀結構,所述底部引出結構的上端開口面積大于其下端開口的面積。
3.如權利要求1所述的通風系統,其特征在于,所述底部引出結構的上端開口為狹長形橢圓,下端開口為圓形。
4.如權利要求1所述的通風系統,其特征在于,所述底部引出結構的上端開口的寬度與所述環形排風罩的外徑滿足:1/4D≤W≤D,其中,W為底部引出結構的上端開口的寬度,D為環形排風罩的外徑。
5.如權利要求1所述的通風系統,其特征在于,所述環形排風罩與排風背板固定連接并罩設在排風口外側以在環形排風罩和排風背板之間形成導風通道。
6.如權利要求5所述的通風系統,其特征在于,所述環形排風罩包括外環形板、內環形板和氣密連接在外環形板和內環形板之間的蓋板,外環形板、內環形板和蓋板圍成了導風通道,外環形板、內環形板和蓋板一體成型,外環形板的底部設有用于與底部引出結構配套氣密連接的底部開口,外環形板和內環形板與排風背板通過螺栓連接。
7.如權利要求1所述的通風系統,其特征在于,所述環形排風罩的材料為鋁合金、不銹鋼或工程塑料。
8.如權利要求1至7任一項所述的通風系統,其特征在于,所述進氣組件包括進風面板和進風罩。
9.一種晶圓后處理設備,其特征在于,包括:用于豎直旋轉晶圓的夾持機構和用于輸送流體的供給臂;所述供給臂可豎直地擺動并經由設置于其自由端處的噴射機構將流體供應至晶圓上;還包括如權利要求1至8任一項所述的通風系統。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





