[發(fā)明專利]存儲器磨損管理在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110761207.0 | 申請日: | 2021-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN113918478A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·S·馬利克;李賢見;C·巴拉普拉姆;宋澤尚;金康永 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲器 磨損 管理 | ||
本申請涉及存儲器磨損管理。一種器件可以包含接口控制器和非易失性存儲器。所述接口控制器可以管理所述非易失性存儲器中的存儲器庫的磨損均衡程序。例如,所述接口控制器可以選擇存儲器庫中的行用于所述磨損均衡程序。所述接口控制器可以將來自所述行的數(shù)據(jù)存儲在所述接口控制器中的緩沖器中。所述接口控制器然后可以將所述數(shù)據(jù)傳遞到所述非易失性存儲器,使得所述非易失性存儲器可以將所述數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器庫的第二行。
本專利申請要求馬利克(Malik)等人于2020年7月10日提交的題為“存儲器磨損管理(MEMORY WEAR MANAGEMENT)”的美國臨時專利申請第63/050,283號的優(yōu)先權(quán),所述美國臨時專利申請轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并且明確地通過全文引用的方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本技術(shù)領(lǐng)域涉及存儲器磨損管理。
背景技術(shù)
下文總體上涉及一或多個存儲器系統(tǒng),并且更具體地,涉及系統(tǒng)中的存儲器磨損管理。
存儲器器件被廣泛地用于將信息存儲在各種電子器件中,如計算機(jī)、無線通信器件、相機(jī)、數(shù)字顯示器等。通過將存儲器器件內(nèi)的存儲器單元編程為各種狀態(tài)來存儲信息。例如,二進(jìn)制存儲器單元可以被編程為通常由邏輯1或邏輯0表示的兩種支持狀態(tài)之一。在一些實例中,單個存儲器單元可以支持兩種以上狀態(tài),所述兩種以上狀態(tài)中的任何一種狀態(tài)都可以被存儲。為了存取存儲的信息,組件可以讀取或讀出存儲器器件中的至少一種存儲狀態(tài)。為了存儲信息,組件可以在存儲器器件中寫入或編程狀態(tài)。
存在各種類型的存儲器器件和存儲器單元,包含磁性硬盤、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、閃存、相變存儲器(PCM)、自選存儲器、硫族化物存儲器技術(shù)等。存儲器單元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存儲器例如FeRAM即使在不存在外部電源的情況下也可以在延長的時間段內(nèi)維持其存儲的邏輯狀態(tài)。易失性存儲器器件例如DRAM在與外部電源斷開連接時可能會丟失其存儲的狀態(tài)。
發(fā)明內(nèi)容
描述了一種裝置。所述裝置可以包含:非易失性存儲器,所述非易失性存儲器包括存儲器庫;以及接口控制器,所述接口控制器與所述非易失性存儲器耦接。所述接口控制器可以可操作以使所述裝置:選擇所述存儲器庫中的物理行地址用于將數(shù)據(jù)從所述存儲器庫的第一行移動到所述存儲器庫的第二行的程序;至少部分地基于所述物理行地址來確定針對所述存儲器庫的所述第一行啟動所述程序,其中所述物理行地址與所述第一行相關(guān)聯(lián);并且作為所述程序的一部分,向所述非易失性存儲器發(fā)出用于與所述第一行相關(guān)聯(lián)的所述物理行地址的讀取命令。
描述了一種裝置。所述裝置可以包含:非易失性存儲器,所述非易失性存儲器包括多個存儲器庫;以及接口控制器,所述接口控制器與所述非易失性存儲器耦接。所述接口控制器可以包括:第一邏輯組件,所述第一邏輯組件被配置成管理在所述非易失性存儲器中的存儲器庫的行之間移動數(shù)據(jù)的程序;寄存器,所述寄存器與所述第一邏輯組件耦接并且被配置成存儲與所述存儲器庫的所述行相關(guān)聯(lián)的一或多個指針;以及第二邏輯組件,所述第二邏輯組件與所述寄存器耦接并且被配置成至少部分地基于存儲在所述寄存器中的所述一或多個指針來確定物理行地址。
描述了一種裝置。所述裝置可以包含:非易失性存儲器,所述非易失性存儲器包括存儲器庫;以及接口控制器,所述接口控制器與所述非易失性存儲器耦接。所述接口控制器可以可操作以使所述裝置:確定所述存儲器庫的存儲要傳遞到所述存儲器庫的第二行的數(shù)據(jù)的第一行的第一物理行地址;向所述非易失性存儲器傳遞用于所述第一物理行地址的讀取命令;至少部分地基于傳輸所述讀取命令來將所述數(shù)據(jù)傳遞到所述接口控制器中的寄存器;并且將所述數(shù)據(jù)從所述寄存器傳遞到所述非易失性存儲器。
附圖說明
圖1展示了根據(jù)如本文所公開的實例的支持存儲器磨損管理的系統(tǒng)的實例。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美光科技公司,未經(jīng)美光科技公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110761207.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





