[發明專利]一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構在審
| 申請號： | 202110761195.1 | 申請日： | 2021-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN113764887A | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 鄧華陽;鄭秋菊;胡珺珺;張珈瑞 | 申請（專利權）人： | 重慶移通學院 |
| 主分類號： | H01Q1/52 | 分類號： | H01Q1/52;H01Q1/24;H01Q1/48;H01Q9/04;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 重慶莫斯專利代理事務所(普通合伙) 50279 | 代理人： | 劉強 |
| 地址： | 401520 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬帶 二元 陣列 天線 耦合 結構 | ||
1.一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
包括上層天線單元、低介電常數介質基板和下層天線單元，所述上層天線單元包括上層基板、兩個矩形輻射貼片和共面隔離墻，所述共面隔離墻設置在所述上層基板幾何中心，兩個所述矩形輻射貼片對稱設置在所述共面隔離墻的兩側；
所述低介電常數介質基板與所述上層基板連接；
所述下層天線單元包括下層基板和兩個矩形金屬貼片，所述下層基板與所述低介電常數介質基板連接，并位于所述低介電常數介質基板遠離所述上層基板的一側，兩個所述矩形金屬貼片對稱設置在所述下層基板上。
2.如權利要求1所述的一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
所述寬帶二元陣列天線的去耦合結構還包括兩個同軸饋電端口和公共接地板，所述公共接地板與所述下層基板連接，兩個所述同軸饋電端口與所述公共接地板連接，并與所述下層基板連接。
3.如權利要求2所述的一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
所述低介電常數介質基板具有焊接槽，所述焊接槽對應兩個所述同軸饋電端口設置。
4.如權利要求1所述的一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
所述共面隔離墻由多個帶有凹陷槽的曲折金屬環按照無縫隙方式排列組成。
5.如權利要求4所述的一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
所述共面隔離墻的數量有三個，三個所述共面隔離墻無縫隙放置，并設置在兩個所述矩形輻射貼片之間。
6.如權利要求5所述的一種寬帶二元陣列天線的去耦合結構，其特征在于，
調節所述曲折金屬環的尺寸大小和所述曲折金屬環的數目對天線單元之間的相互耦合進行調節。
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