[發(fā)明專利]一種磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110760674.1 | 申請日： | 2021-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN113512755B | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黨冀萍;孫聶楓;王書杰;徐森鋒;史艷磊;邵會民;付莉杰;卜愛民;李曉嵐;王陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B15/00;C30B28/06;C30B28/10;C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 石家莊眾志華清知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聶旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 磁場 浸入 磷化 合成 生長 裝置 | ||
1.一種磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，包括主爐體（1）、主爐體內(nèi)的坩堝（7）、坩堝（7）外圍的加熱器和保溫層，其特征在于，所述合成及生長裝置還包括連接驅(qū)動裝置的注入合成系統(tǒng)（5），注入合成系統(tǒng)（5）承載紅磷（30），在驅(qū)動裝置的作用下，沉入坩堝（7）；
在主爐體（1）外部設(shè)置施加橫向靜磁場的靜磁場發(fā)生器（4）；
所述注入合成系統(tǒng)（5）包括圓柱形的紅磷注入器（5-5），紅磷注入器（5-5）周邊設(shè)置注入孔（5-10）；
所述注入合成系統(tǒng)（5）還包括紅磷注入器（5-5）上面的3-5個圓盤形屏蔽層，屏蔽層的直徑小于坩堝（7）的內(nèi)徑1-10mm，屏蔽層上設(shè)置透過孔（5-6）；
紅磷注入器（5-5）和屏蔽層連接在驅(qū)動裝置上，同時升降；
坩堝（7）外圍的保溫層中，對應(yīng)屏蔽層的位置設(shè)置隔熱板；
根據(jù)屏蔽層的位置，將坩堝（7）分為不同的溫區(qū)，兩個屏蔽層之間、頂端的屏蔽層上面、底端屏蔽層下面為溫區(qū)范圍；各溫區(qū)設(shè)置獨立的加熱器和電偶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，其特征在于，所述各屏蔽層在同一位置開設(shè)與爐頂熱電偶（22）配合的測溫孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，其特征在于，注入孔（5-10）的直徑為5-10mm，注入孔（5-10）中心間距大于其直徑兩倍；
透過孔（5-6）直徑為5-10mm，透過孔（5-6）中心間距大于其直徑兩倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，其特征在于，在紅磷注入器（5-5）和屏蔽層上設(shè)置氣泡分割裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，其特征在于，所述氣泡分割裝置為石英絲網(wǎng)，網(wǎng)格為正方形，正方形邊長小于3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場下浸入式磷化物合成及生長裝置，其特征在于，所述裝置用于LEC或者VGF進行晶體生長。
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