[發明專利]一種太陽能電池片及其背面PECVD法和應用

在審

• 申請號: 202110760598.4
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113481487A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 宋飛飛;王英杰;任勇;何悅
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王艷齋

1.一種太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，所述背面PECVD法包括以下步驟：

(1)吹掃循環：插有硅片的石墨舟進舟前，對爐管循環進行氮氣沖洗和一次抽真空操作；

(2)預處理：通入N₂O；

(3)鍍膜處理：采用PECVD法依次沉積背鈍化膜、氮化硅膜和氧化硅膜，得到經過背面PECVD處理的硅片；

(4)氮氣清洗：取出插有硅片的石墨舟，用氮氣清洗爐管。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，步驟(1)所述吹掃循環的循環次數為1～3次；

優選地，步驟(1)所述氮氣沖洗包括：

通入流量為20000～100000sccm的氮氣40～60s，溫度設置為450～600℃；

優選地，步驟(1)所述一次抽真空包括：

在450～600℃下，進行一次抽真空；

優選地，步驟(1)中，對爐管循環進行氮氣沖洗和一次抽真空操作后，依次進行充氮、放舟、升溫、二次抽真空和恒壓操作。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，所述充氮包括：

在450～600℃下，通入流量為2000～5000sccm的氮氣；

優選地，所述升溫包括：

壓力設置為10000～20000mtorr，進行升溫500～800s，最終升溫至450～600℃；

優選地，所述二次抽真空的時間為20～30s；

優選地，所述恒壓包括：

在450～600℃下，通入流量為1000～3000sccm的N₂O，達到恒定壓力1000～1500mtorr。

4.根據權利要求1-3任一項所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，步驟(2)所述預處理包括：

在450～600℃下，壓力設置為1000～2000mtorr，通入流量為2000～4000sccm的N₂O，時間為20～40s。

5.根據權利要求1-4任一項所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，步驟(3)所述鍍膜處理包括以下步驟：

(I)抽真空和沉積背鈍化膜：先抽真空，時間為20～30s，然后沉積氧化鋁鈍化膜或沉積氮氧化硅鈍化膜；

(II)抽真空和沉積氮化硅膜：先抽真空，時間為20～30s，然后通入氮氣6000～8000sccm，硅烷600～1200sccm，設置功率為6000～12000w，無效脈沖為30～60，有效脈沖為2～4，時間為300～600s，壓力為1500～3000mtorr；

(III)抽真空和沉積氧化硅膜：先抽真空，時間為20～30s，然后通入笑氣3000～6000sccm，硅烷300～600sccm，設置功率為3000～5000w，無效脈沖為30～60，有效脈沖為2～4，時間為100～200s，壓力為1500～2000mtorr；

優選地，步驟(I)中沉積氧化鋁鈍化膜時，通入氣體為氮氣、笑氣和三甲基鋁；

優選地，步驟(I)沉積氮氧化膜時，通入氣體為硅烷、氨氣和笑氣。

6.根據權利要求1-5任一項所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，步驟(3)所述鍍膜處理結束后，依次進行抽真空、充氮氣和取舟的操作；

優選地，步驟(3)所述鍍膜處理結束后，抽真空的時間為20～30s；

優選地，步驟(3)所述鍍膜處理結束后，充氮氣過程中，氮氣的通入流量為2000～5000sccm。

7.根據權利要求1-6任一項所述的太陽能電池片的背面PECVD法，其特征在于，步驟(4)所述氮氣清洗中，氮氣的通入流量為20000～100000sccm；

優選地，步驟(4)所述氮氣清洗中，清洗的時間為15～30s。