[發明專利]一種三柵Ga2 在審
| 申請號： | 202110759590.6 | 申請日： | 2021-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN113555442A | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發明（設計）人： | 李京波;王小周;趙艷;齊紅基;曹茗杰 | 申請（專利權）人： | 浙江芯國半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李園園 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ga base sub | ||
1.一種三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，包括Ga2O3襯底(1)、Ga2O3外延層(2)、兩個P型阱區(3)、P型控制區(4)、n+型源區(5)、溝道區(6)、柵極(7)、源極(8)和漏極(9)，其中，
所述Ga2O3襯底(1)上開設有襯底凹槽，所述Ga2O3外延層(2)設置在所述襯底凹槽中；
所述兩個P型阱區(3)和P型控制區(4)分別設置在所述Ga2O3外延層(2)的上表面，且所述P型控制區(4)設置在所述兩個P型阱區(3)之間，所述n+型源區(5)和所述溝道區(6)間隔分布在所述P型阱區(3)的上表面；
所述柵極(7)包括頂柵(71)和兩個側柵(72)，兩個側柵(72)分別設置在所述溝道區(4)的兩側，所述頂柵(71)設置在所述溝道區(6)的上方，所述頂柵(71)的兩端下表面分別與兩個側柵(72)的上表面接觸，所述溝道區(6)通過高k介質層(10)與所述頂柵(71)和所述兩個側柵(72)間隔，所述兩個側柵(72)的外側分別設置有所述高k介質層(10)以與所述n+型源區(5)或所述Ga2O3外延層(2)間隔開；
所述漏極(6)設置于所述Ga2O3襯底(1)的下表面，且所述漏極(6)與所述Ga2O3襯底(1)之間還包括歐姆接觸金屬層，所述源極(7)覆蓋于整個器件的上表面且通過所述高k介質層(10)與所述柵極(7)間隔開。
2.根據權利要求1所述的三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，所述頂柵(71)水平方向上的一端位于所述n+型源區(5)的上方，另一端延伸至所述P型控制區(4)與所述P型阱區(3)之間區域的上方。
3.根據權利要求1所述的三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，所述Ga2O3襯底(1)為重摻雜N型Ga2O3襯底，摻雜濃度大于1×1019cm-3。
4.根據權利要求1所述的三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，所述n+型源區(5)的摻雜濃度大于1×1019cm-3。
5.根據權利要求1所述的三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，所述高K介質層(10)的材料為Si3N4、Al2O3、SiO2、HfO2和HfSiO中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的三柵Ga2O3橫向MOSFET功率器件，其特征在于，所述P型控制區(4)的摻雜濃度高于所述P型阱區(3)的摻雜濃度。
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