[發(fā)明專利]一種新型可變?cè)鲆娉偕邮諜C(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110759539.5
• 申請(qǐng)日: 2021-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113489500B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐建;石永柳;王鑫;丁強(qiáng);田銘聰;閔可;楊逸凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H04B1/16
• 分類號(hào): H04B1/16;H04B1/18
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 吳旭

1.一種新型可變?cè)鲆娉偕邮諜C(jī)，其特征在于，在超再生接收機(jī)鏈路的低通濾波器之后引入信號(hào)強(qiáng)度檢測(cè)電路，根據(jù)檢測(cè)到的信號(hào)強(qiáng)度產(chǎn)生電壓控制信號(hào)，作為超再生壓控振蕩器的壓控電壓，通過(guò)所述壓控電壓來(lái)調(diào)整超再生壓控振蕩器的振蕩頻率，以達(dá)到調(diào)整在有輸入信號(hào)時(shí)的起振時(shí)間，從而改變鏈路增益；

當(dāng)所述信號(hào)強(qiáng)度檢測(cè)電路檢測(cè)到信號(hào)強(qiáng)度較小時(shí)，調(diào)整超再生壓控振蕩器的振蕩頻率和接收到的輸入信號(hào)頻率接近直至一致，以增大鏈路增益，保證接收機(jī)的接收靈敏度；當(dāng)所述信號(hào)強(qiáng)度檢測(cè)電路檢測(cè)到信號(hào)強(qiáng)度較大時(shí)，調(diào)整超再生壓控振蕩器的振蕩頻率遠(yuǎn)離接收到的輸入信號(hào)頻率，以減小鏈路增益，提高系統(tǒng)的線性度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型可變?cè)鲆娉偕邮諜C(jī)，其特征在于，所述超再生壓控振蕩器包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M6、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、電容C、電感L、變?nèi)荻O管D1、變?nèi)荻O管D2；PMOS管M1和PMOS管M2源端接供電電壓VDD，柵端與對(duì)方的漏端相連，形成交叉耦合狀態(tài)提供負(fù)阻；PMOS管M1的漏端又與NMOS管M3的漏端相連，PMOS管M2的漏端又與NMOS管M4的漏端相連；NMOS管M3和NMOS管M4的柵端分別接輸入信號(hào)IN1和輸入信號(hào)IN2，NMOS管M3和NMOS管M4的源端接NMOS管M5的漏極，NMOS管M5的柵端接偏置電壓VBIAS，NMOS管M5的源端接地；電容C與電感L分別并接于PMOS管M1、PMOS管M2的漏端之間，形成LC諧振網(wǎng)絡(luò)；PMOS管M6接于PMOS管M1、PMOS管M2的漏端之間，柵端接熄滅信號(hào)；變?nèi)荻O管D1正端接PMOS管M1的漏端，變?nèi)荻O管D2正端接PMOS管M2的漏端，變?nèi)荻O管D1和變?nèi)荻O管D2的負(fù)端都接電壓控制信號(hào)VCTRL。