[發(fā)明專利]一種激光發(fā)射裝置

在審

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• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN113422281A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)鵬;張普;陳旭光;朱香平;趙衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東粵港澳大灣區(qū)硬科技創(chuàng)新研究院
• 主分類號: H01S3/04
• 分類號: H01S3/04;H01S3/042;H01S3/08;H01S3/0941
• 代理公司: 深圳市科進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44316
• 代理人: 魏毅宏

1.一種激光發(fā)射裝置，其特征在于，包括外殼、諧振腔、激光工作介質(zhì)、被動調(diào)Q元件和泵浦源，所述諧振腔、所述激光工作介質(zhì)、所述被動調(diào)Q元件和所述泵浦源均安裝在所述外殼內(nèi)，所述諧振腔包括反射鏡和輸出鏡，所述反射鏡、所述被動調(diào)Q元件、所述激光工作介質(zhì)和所述輸出鏡沿光路依次設(shè)置，所述泵浦源用于發(fā)出激光，為激光工作介質(zhì)提供能量，所述泵浦源包括半導(dǎo)體激光器、反射元件、溫度控制結(jié)構(gòu)和絕熱板，所述半導(dǎo)體激光器包括半圓環(huán)件和若干根巴條，若干根所述巴條以半圓周排布的方式封裝在所述半圓環(huán)件上，所述反射元件具有反射腔，所述激光工作介質(zhì)夾持在所述反射腔與所述半圓環(huán)件之間，所述溫度控制結(jié)構(gòu)包括熱沉、半導(dǎo)體制冷器和散熱器，所述熱沉設(shè)置在所述反射元件上，所述半圓環(huán)件設(shè)置在所述熱沉面向所述反射腔的側(cè)面上，所述半導(dǎo)體制冷器設(shè)置在所述熱沉背離所述反射腔的側(cè)面上，所述散熱器設(shè)置在半導(dǎo)體制冷器上，所述絕熱板設(shè)置在所述反射元件與所述外殼之間。

2.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，若干根所述巴條分成兩組，兩組所述巴條一前一后封裝在半圓環(huán)件內(nèi)，每組所述巴條設(shè)置有24根。

3.如權(quán)利要求2所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，若干根所述巴條以波長為805nm、808nm、810nm三波長混裝的封裝形式封裝在半圓環(huán)件內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述巴條的發(fā)光面距離所述激光工作介質(zhì)的外表面的距離為1mm。

5.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述反射鏡的曲率半徑為-5000mm，所述輸出鏡的曲率半徑為-3000mm，所述反射鏡任一端面的鍍膜指標(biāo)為HR@1064nm，所述輸出鏡一端面的鍍膜指標(biāo)為1064nm增透膜，另一端面的鍍膜指標(biāo)為PR@1064nm，透過率為30％。

6.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述激光工作介質(zhì)為Nd:YAG晶體棒，所述Nd:YAG晶體棒的長度為45mm，直徑為4mm，Nd³⁺離子的摻雜濃度為1.1at％，所述Nd:YAG晶體棒兩端面的鍍膜指標(biāo)為AR@1064nm。

7.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述被動調(diào)Q元件采用Cr⁴⁺：YAG晶體，所述被動調(diào)Q元件兩端面的鍍膜指標(biāo)為AR@1064nm，初始透過率為30％。

8.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述激光發(fā)射裝置還包括用于調(diào)整諧振腔的光路的光楔對，所述光楔對位于所述反射鏡和所述被動調(diào)Q元件之間，所述光楔對包括第一光楔和第二光楔，所述第一光楔和所述第二光楔的斜面對齊緊靠在一起。

9.如權(quán)利要求8所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述第一光楔和所述第二光楔的楔角角度均為10分。

10.如權(quán)利要求1所述的激光發(fā)射裝置，其特征在于，所述激光發(fā)射裝置還包括光束整形透鏡組，所述光束整形透鏡組位于所述輸出鏡的輸出光路上，所述光束整形透鏡組包括第一透鏡和第二透鏡，所述第一透鏡和所述第二透鏡的曲率相同，凹凸方向相反。