[發(fā)明專利]一種用于金剛石膜拋光的等離子體刻蝕法及其產(chǎn)品有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110757175.7 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113529050B | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高冀蕓;劉晨輝;王訪;楊黎;郭勝惠;馮曙光 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 云南民族大學(xué);昆明理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C23C16/27 | 分類號(hào)： | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京東方盛凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 張換君 |
| 地址： | 650500 云南省昆明*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 金剛石 拋光 等離子體 刻蝕 及其 產(chǎn)品 | ||
1.一種用于金剛石膜拋光的等離子體刻蝕法，其特征在于，具體步驟包括：采用微波化學(xué)氣相沉積法沉積出初始金剛石膜；初始金剛石膜沉積完成后進(jìn)行微波等離子體刻蝕，獲得金剛石膜；
所述微波化學(xué)氣相沉積法的氣氛為H2：350～450sccm，CH4：8～12sccm；
所述微波化學(xué)氣相沉積法的壓強(qiáng)為12～15kPa，溫度為800～900℃，時(shí)間為4.5～5.5h；
所述微波等離子體刻蝕的氣氛條件由氬氣和氫氣組成；
所述氬氣和氫氣的體積比為(5～34):100；
所述氬氣流量為20～100sccm；
所述微波等離子體刻蝕的壓強(qiáng)為12～16kPa，溫度為600～900℃，時(shí)間為20～80min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石膜拋光的等離子體刻蝕法，其特征在于，所述微波化學(xué)氣相沉積法在硅襯底上進(jìn)行沉積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于金剛石膜拋光的等離子體刻蝕法，其特征在于，所述金剛石膜的厚度為微米級(jí)或納米級(jí)。
4.一種如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的用于金剛石膜拋光的等離子體刻蝕法制得的金剛石膜。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
