[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110756311.0
• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN113921605A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 西康一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

半導體基板，其在俯視觀察時包含設置有多個晶體管的有源區域和將所述有源區域包圍的配線區域；

多個溝槽柵極，它們從所述半導體基板的表面的所述有源區域延伸至所述配線區域，在所述有源區域形成所述多個晶體管的一部分；以及

柵極電極，其設置于所述配線區域，與所述多個溝槽柵極電連接，

所述多個溝槽柵極各自的端部位于所述配線區域，

所述柵極電極以將在所述多個溝槽柵極各自的所述端部形成的柵極接觸部覆蓋的方式設置，經由所述柵極接觸部而與所述多個溝槽柵極各自電連接，

所述多個溝槽柵極僅沿所述半導體基板的所述表面的一個方向延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個溝槽柵極各自的所述端部處的溝槽寬度比所述有源區域的溝槽寬度寬，

所述多個溝槽柵極各自包含所述配線區域的所述溝槽寬度隨著接近所述端部而逐漸變寬的過渡區域，

所述過渡區域的所述溝槽寬度的擴展角相對于所述多個溝槽柵極的延伸方向即所述一個方向來說小于45度。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述多個溝槽柵極各自包含：

柵極絕緣膜，其沿著在所述半導體基板形成的溝槽的內壁而設置；以及

柵極導電部，其隔著所述柵極絕緣膜而設置于所述溝槽的內部，

所述柵極接觸部形成于所述柵極導電部之上，

所述過渡區域以及所述端部處的所述柵極絕緣膜的厚度比所述有源區域的所述柵極絕緣膜的厚度厚。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

還具有：

至少1個啞溝槽柵極，其設置于所述半導體基板的所述表面的所述有源區域；以及

發射極電極，其設置于所述有源區域，

所述半導體基板在所述有源區域內包含：

第1有源區域，其在所述半導體基板的所述表面沿著所述多個溝槽柵極的延伸方向即所述一個方向而選擇性地配置第1導電型的發射極層和第2導電型的基極層；以及

第2有源區域，其在所述半導體基板的所述表面配置所述基極層而不配置所述發射極層，

從所述第1有源區域的所述半導體基板的所述表面起沿深度方向設置有所述發射極層和所述基極層，

從所述第2有源區域的所述半導體基板的所述表面起沿深度方向設置有所述基極層而不設置所述發射極層，

所述多個溝槽柵極設置于所述第1有源區域，并且將所述發射極層和所述基極層貫通，

所述多個溝槽柵極的側壁與所述發射極層、所述基極層接觸，

所述至少1個啞溝槽柵極設置于所述第2有源區域，并且將所述基極層貫通，

所述至少1個啞溝槽柵極的側壁與所述基極層接觸而不與所述發射極層接觸，

所述發射極電極以將在所述至少1個啞溝槽柵極的端部形成的啞接觸部和在所述發射極層之上形成的發射極接觸部覆蓋的方式設置，經由所述啞接觸部而與所述至少1個啞溝槽柵極電連接，經由所述發射極接觸部而與所述發射極層電連接。