[發(fā)明專利]一種三路Doherty射頻功率放大器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110754515.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115567004A | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊夢(mèng)蘇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03F1/02 | 分類號(hào): | H03F1/02;H03F1/32;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 趙世發(fā);王鋒 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 doherty 射頻 功率放大器 | ||
1.一種三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于包括:功率分配器、主放大器、效率峰值放大器、線性峰值放大器、移相網(wǎng)絡(luò)以及相應(yīng)的輸出匹配網(wǎng)路;待放大的輸入信號(hào)經(jīng)所述功率分配器分別輸入到主放大器、效率峰值放大器和線性峰值放大器中,并最終流向負(fù)載阻抗;所述主放大器的輸入端與功率分配器的第一輸出端電連接,所述效率峰值放大器的輸入端與功率分配器的第二輸出端經(jīng)第一移相網(wǎng)絡(luò)電連接,所述線性峰值放大器的輸入端與功率分配器的第三輸出端經(jīng)第二移相網(wǎng)絡(luò)電連接;所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括視頻帶寬增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)和合路阻抗匹配網(wǎng)絡(luò);其中,
所述合路阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括第一π型CLC網(wǎng)絡(luò)和第二π型CLC網(wǎng)絡(luò),所述主放大器的輸出端與效率峰值放大器的輸出端通過(guò)第一π型CLC網(wǎng)絡(luò)連接,所述效率峰值放大器的輸出端與線性峰值放大器的輸出端通過(guò)第二π型CLC網(wǎng)絡(luò)連接;
所述視頻帶寬增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)包括在主放大器輸出端與地之間依次串接的第一電感和第一電容,所述第一電感與主放大器的輸出電容形成一諧振網(wǎng)絡(luò),所述諧振網(wǎng)絡(luò)至少用于補(bǔ)償所述合路阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中相應(yīng)的匹配電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述第一π型CLC網(wǎng)絡(luò)包括第一電感、第一電容、第二電感、主放大器的輸出電容、效率峰值放大器的輸出電容和第二電容的一部分,所述第二π型CLC網(wǎng)絡(luò)包括效率峰值放大器的輸出電容、第二電容的另一部分、第三電感、線性峰值放大器的輸出電容和第三電容;其中,
所述第二電感連接在主放大器的輸出端與效率峰值放大器的輸出端之間,所述第三電感連接在效率峰值放大器的輸出端與線性峰值放大器的輸出端之間,所述主放大器的輸出電容、效率峰值放大器的輸出電容并聯(lián)在第二電感兩側(cè),所述效率峰值放大器的輸出電容、線性峰值放大器的輸出電容并聯(lián)在第三電感兩側(cè),所述第二電容和第三電容并聯(lián)在第三電感兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述第一π型CLC網(wǎng)絡(luò)的匹配電容小于主放大器的輸出電容,且所述諧振網(wǎng)絡(luò)用于補(bǔ)償主放大器的輸出電容與第一π型CLC網(wǎng)絡(luò)的匹配電容的差值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述主放大器、效率峰值放大器和線性峰值放大器均包括LDMOS或GaN晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述第一電感和第一電容依次串接在主放大器晶體管的漏極與地之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述第二電感和第三電感均包括相應(yīng)鍵合線的等效電感和相應(yīng)表貼電感元件的等效電感。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述主放大器、效率峰值放大器和線性峰值放大器晶體管的漏極饋電流通過(guò)雙偏置網(wǎng)絡(luò)提供,所述雙偏置網(wǎng)絡(luò)包括第一四分之一波長(zhǎng)微帶線和第二四分之一波長(zhǎng)微帶線,所述第一四分之一波長(zhǎng)微帶線與第二四分之一波長(zhǎng)微帶線并聯(lián)設(shè)置;其中,
所述第一四分之一波長(zhǎng)微帶線的一端與電源電壓電連接,并經(jīng)第一去耦電容接地,另一端與所述第二四分之一波長(zhǎng)微帶線的一端電連接,第二四分之一波長(zhǎng)微帶線的另一端經(jīng)第二去耦電容接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三路Doherty射頻功率放大器,其特征在于:所述第一四分之一波長(zhǎng)微帶線和第二四分之一波長(zhǎng)微帶線之間的節(jié)點(diǎn)經(jīng)第一LC網(wǎng)絡(luò)與所述主放大器晶體管、效率峰值放大器晶體管和線性峰值放大器晶體管的漏極直接或間接地電連接,同時(shí)經(jīng)第二LC網(wǎng)絡(luò)與負(fù)載阻抗電連接。
9.一種電子器件,其特征在于包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的三路Doherty射頻功率放大器,其中功率分配器、主放大器、效率峰值放大器和線性峰值放大器集成設(shè)置為單片微波集成電路,所述單片微波集成電路封裝在QFN封裝外殼內(nèi),所述QFN封裝外殼設(shè)置在印刷電路板上,并與所述印刷電路板上的相應(yīng)元件相配合。
10.一種電子器件,其特征在于包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的三路Doherty射頻功率放大器,其中功率分配器、主放大器、效率峰值放大器和線性峰值放大器集成設(shè)置為單片微波集成電路,所述單片微波集成電路設(shè)置在LGA基板上,并與相應(yīng)的表貼元件相配合。
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