[發(fā)明專利]一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110754143.1 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113193326B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉聰;胡斌;袁野 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都銳芯盛通電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01P5/18 | 分類號(hào)： | H01P5/18;H01P5/10;H01P1/18 |
| 代理公司： | 成都厚為專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51255 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 頻段 通道 氣密 封裝 相控陣 sip 模塊 | ||
1.一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，包括：
SIP腔體（1），所述SIP腔體（1）上設(shè)置有若干W頻段波導(dǎo)口（2）；
多個(gè)射頻鏈路，位于所述SIP腔體（1）內(nèi)，所述射頻鏈路為一分多鏈路，其端口均與W頻段波導(dǎo)口（2）連接；
連接子板，由射頻基板（3）和接口板（4）組成；
AD控制芯片（5），位于所述SIP腔體（1）內(nèi)，所述AD控制芯片（5）通過(guò)所述射頻基板（3）與所述射頻鏈路連接，所述AD控制芯片（5）還與所述接口板（4）連接；
所述射頻鏈路包括公共鏈路和多個(gè)分支鏈路；
所述公共鏈路包括第一W頻段功放芯片（6），所述第一W頻段功放芯片（6）與一個(gè)W頻段波導(dǎo)口（2）連接；
所述分支鏈路包括第二W頻段功放芯片（9）、第三W頻段功放芯片（10）和W頻段移相衰減控制芯片（8）；
所述W頻段移相衰減控制芯片（8）經(jīng)射頻傳輸電路（7）與所述第一W頻段功放芯片（6）連接；
所述第二W頻段功放芯片與（12）所述W頻段移相衰減控制芯片（8）連接；
所述第三W頻段功放芯片（10）與所述第二W頻段功放芯片（9）和一個(gè)W頻段波導(dǎo)口（2）連接；
所述第一W頻段功放芯片（6）、第二W頻段功放芯片（9）、第三W頻段功放芯片（10）和W頻段移相衰減控制芯片（8）均經(jīng)射頻基板（3）與AD控制芯片（5）連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述射頻傳輸電路（7）包括：
第一傳輸電路（11），與所述第一W頻段功放芯片（6）連接；
第二傳輸電路（12），與所述第一傳輸電路（11）連接；
多個(gè)第三傳輸電路（13），每個(gè)第三傳輸電路（13）分別與對(duì)應(yīng)的W頻段移相衰減控制芯片（8）和所述第二傳輸電路（12）連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述射頻鏈路沿水平方向或豎直方向鏈?zhǔn)讲季帧?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述AD控制芯片（5）和射頻鏈路的安裝位置周邊設(shè)置有裝配槽（14）。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述SIP腔體（1）的壁厚大于1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述射頻鏈路通過(guò)微帶-波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)（15）與W頻段波導(dǎo)口（2）連接；所述微帶-波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)（15）設(shè)置在陶瓷基板上，所述陶瓷基板設(shè)置在所述W頻段波導(dǎo)口（2）上，且所述陶瓷基板封閉所述W頻段波導(dǎo)口（2）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述微帶-波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)（15）包括探針（16）、兩片探針耦合片（17）和接地塊（18），所述探針（16）和探針耦合片（17）分別設(shè)置于所述接地塊（18）的兩面，兩片探針耦合片（17）以探針（16）為中心線對(duì)稱設(shè)置，所述探針（16）上設(shè)置有向內(nèi)凹陷形成的細(xì)線段。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述連接子板為高溫共燒陶瓷電路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W頻段多通道氣密封裝相控陣SIP模塊，其特征在于，所述射頻基板（3）和接口板（4）與所述SIP腔體（1）內(nèi)腔對(duì)位嵌合，所述接口板（4）與所述SIP腔體（1）焊接；和/或，
所述SIP腔體（1）由下腔體和蓋板組成，所述下腔體與所述蓋板激光封焊。
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