[發明專利]制造半導體器件的方法和圖案形成方法

在審

• 申請號: 202110752941.0
• 申請日: 2021-07-02
• 公開（公告）號: CN113568271A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 劉之誠;翁明暉;李志鴻;鄭雅如;楊棋銘;李資良;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 趙艷

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在待圖案化的靶層上方形成光致抗蝕劑層，

其中所述形成光致抗蝕劑層包括：

將汽態的第一前體和第二前體合并以形成光致抗蝕劑材料，

其中所述第一前體是具有下式的有機金屬：

M_aR_bX_c

其中M是選自由以下項組成的組的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，

R是烷基基團，所述烷基基團被給電子基團或吸電子基團中的一者或多者取代，

X是鹵基或磺酸根基團，并且

1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4；并且

所述第二前體是選自由以下項組成的組的一者或多者：水、胺、硼烷和膦；并且

將所述光致抗蝕劑材料沉積在待圖案化的靶層上方；

將所述光致抗蝕劑層選擇性地曝光于光化輻射以形成潛在圖案；以及

通過將顯影劑施加至經選擇性曝光的光致抗蝕劑層以使所述潛在圖案顯影，來形成圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中R是C1-C20烷基基團，包括C1-C20烷基基團的所有異構體，所述C1-C20烷基基團被選自以下中的一者或多者的給電子基團取代：-O^--NH₂、-NHR1、-NR1₂、-OH、-OR1、-NHCOR1、-SH、-SR1、苯基基團、和-(C＝O)O-，其中R1＝C1-C4基團或苯基基團。

3.根據權利要求1所述的方法，其中R是C1-C20烷基基團，包括C1-C20烷基基團的所有異構體，所述C1-C20烷基基團被選自以下中的一者或多者的給電子基團取代：-I、-Cl、-Br、-F、-NR2₃⁺、-NO₂、-SO₃H、-SO₂R2、-CN、-CHO、-COR2、-CO₂H、-CO₂R2、-CONH2、-CONHR2、和-CONR2₂，其中R2＝C1-C4基團或苯基基團。

4.根據權利要求1所述的方法，其中R是一個或多個被苯基基團、-NH₂、-NHR3、-NR3₂、-OH、-OR3取代的C1-C4烷基基團，其中R3＝C1-C3烷基基團或苯基基團。

5.根據權利要求1所述的方法，其中R是一個或多個在α-C位置被一個或兩個苯基基團、-NH₂、-NHR4、-NR4₂或-OR4取代的C1-C4烷基基團，其中R4＝C1-C3烷基基團。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述光化輻射是極紫外輻射。

7.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括在將所述光致抗蝕劑層選擇性地曝光于光化輻射以形成潛在圖案之后并且在使所述潛在圖案顯影之前，對所述光致抗蝕劑層進行曝光后烘烤。

8.根據權利要求1所述的方法，其中通過原子層沉積或化學氣相沉積將所述光致抗蝕劑材料沉積在所述待圖案化的靶層上方。