[發(fā)明專利]參考電壓產(chǎn)生電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110747647.0
• 申請(qǐng)日: 2021-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113359933B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李昂;劉雯;趙胤超;文輝清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西交利物浦大學(xué)
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 葉棟

1.一種參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，包括：

互補(bǔ)的耗盡型氮化鎵基MOS管和增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管，所述耗盡型氮化鎵基MOS管和增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管串聯(lián)連接；

所述參考電壓產(chǎn)生電路通過(guò)所述耗盡型氮化鎵基MOS管和所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的閾值電壓匹配，使所述耗盡型氮化鎵基MOS管與所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的閾值電壓的絕對(duì)值相等，以使所述耗盡型氮化鎵基MOS管和所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的串聯(lián)連接點(diǎn)輸出穩(wěn)定的參考電壓；

其中，GaN基底的MOS管能夠在0～100V下穩(wěn)定工作，所述參考電壓產(chǎn)生電路具體為：

所述耗盡型氮化鎵基MOS管的漏極接入電源電壓，所述耗盡型氮化鎵基MOS管的柵極接地；

所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的柵極和漏極相連，所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的源極接地，所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的柵極和漏極的連接點(diǎn)產(chǎn)生參考電壓；當(dāng)接入所述電源電壓后，所述耗盡型氮化鎵基MOS管接通，所述連接點(diǎn)電壓瞬間達(dá)到所述耗盡型氮化鎵基MOS管的閾值電壓，當(dāng)所述連接點(diǎn)電壓大于所述耗盡型氮化鎵基MOS管的閾值電壓的同時(shí)所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管導(dǎo)通；

所述參考電壓產(chǎn)生電路通過(guò)對(duì)所述耗盡型氮化鎵基MOS管和增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管進(jìn)行高溫下的閾值電壓漂移補(bǔ)償，以實(shí)現(xiàn)所述參考電壓產(chǎn)生電路高溫下的溫度補(bǔ)償；所述高溫下的閾值電壓漂移補(bǔ)償，包括：

所述參考電壓產(chǎn)生電路的輸出為與絕對(duì)溫度成正比以及與絕對(duì)溫度互補(bǔ)的參考電壓，以實(shí)現(xiàn)在高溫下保持穩(wěn)定的參考電壓輸出；

所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的閾值電壓隨溫度升高而上升，以實(shí)現(xiàn)輸出與絕對(duì)溫度成正比PTAT的參考電壓；

所述耗盡型氮化鎵基MOS管的閾值電壓的絕對(duì)值隨溫度升高而減少，以實(shí)現(xiàn)輸出與絕對(duì)溫度互補(bǔ)CTAT的參考電壓；在PTAT與CTAT同時(shí)匹配的情況下，參考電壓產(chǎn)生電路實(shí)現(xiàn)在高溫下保持穩(wěn)定的參考電壓輸出；

所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的柵極寬度小于100微米；所述耗盡型氮化鎵基MOS管的柵極寬度小于10微米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述耗盡型氮化鎵MOS管的柵極寬度與所述增強(qiáng)型氮化鎵基MOS管的柵極寬度的比值為1:10。