[發明專利]制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法在審
| 申請號： | 202110740680.0 | 申請日： | 2021-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN115548209A | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 吳金良;尹志崗;江奕天;程勇;張興旺 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L41/187 | 分類號： | H01L41/187;C30B23/02;C30B29/32;C30B29/64;H01L41/37 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 鋯鈦酸鉛 柔性 薄膜 方法 | ||
1.一種制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，包括：
在單晶襯底上制備a面氧化鋅緩沖層；
在所述a面氧化鋅緩沖層上外延生長鋯鈦酸鉛單晶薄膜層，得到復合層結構；
將所述復合層結構置于稀酸溶液中，采用濕法腐蝕工藝腐蝕所述a面氧化鋅緩沖層，得到鋯鈦酸鉛單晶薄膜；
將所述鋯鈦酸鉛單晶薄膜轉移至柔性襯底上，得到柔性襯底支撐的鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述在單晶襯底上制備a面氧化鋅緩沖層后，先在所述a面氧化鋅緩沖層上外延生長籽晶層，然后在所述籽晶層上外延生長鋯鈦酸鉛單晶薄膜層，其中，
所述籽晶層由鈣鈦礦型氧化物構成，所述籽晶層與所述a面氧化鋅緩沖層晶格匹配。
3.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述將所述復合層結構置于稀酸溶液中之前，包括在所述鋯鈦酸鉛單晶薄膜層上設置保護層，用于保護鋯鈦酸鉛單晶薄膜不受損傷。
4.根據權利要求3所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述保護層為聚合物薄膜保護層，所述聚合物薄膜保護層能溶于有機物，可以被有機溶劑清洗去除。
5.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述單晶襯底為r面藍寶石或(001)取向的鈣鈦礦型氧化物。
6.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述稀酸溶液濃度為體積分數1-30％。
7.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述在單晶襯底上制備a面氧化鋅緩沖層包括：
采用磁控濺射方式將a面氧化鋅沉積到所述單晶襯底上，其中，所述磁控濺射時沉積溫度為25-800℃。
8.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述在單晶襯底上制備a面氧化鋅緩沖層的制備時間為1-100分鐘。
9.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述在所述a面氧化鋅緩沖層上外延生長鋯鈦酸鉛單晶薄膜層包括：
采用磁控濺射方式將鋯鈦酸鉛沉積到所述a面氧化鋅緩沖層上，其中，所述磁控濺射時沉積溫度為400-800℃。
10.根據權利要求1所述的制備鋯鈦酸鉛柔性單晶薄膜的方法，其特征在于，所述在所述a面氧化鋅緩沖層上外延生長鋯鈦酸鉛單晶薄膜層的制備時間為1-200分鐘。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110740680.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
