[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置和用于存儲(chǔ)裝置的操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110737259.4
• 申請(qǐng)日: 2021-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114078518A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔相炫;徐榮德;盧羌鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C14/00
• 分類號(hào): G11C14/00;G06N3/063
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了一種存儲(chǔ)裝置和用于該存儲(chǔ)裝置的操作方法。該存儲(chǔ)裝置通過(guò)從非易失性存儲(chǔ)器的掉電保護(hù)(PLP)區(qū)域恢復(fù)導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC)來(lái)執(zhí)行讀操作。非易失性存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)器塊、緩沖存儲(chǔ)器和控制器。緩沖存儲(chǔ)器存儲(chǔ)第一導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC1)和第二導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC2)，OCC1指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第一讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量，OCC2指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第二讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。當(dāng)存儲(chǔ)裝置中發(fā)生突然斷電時(shí)，控制器將各個(gè)存儲(chǔ)器塊的OCC1存儲(chǔ)在PLP區(qū)域中。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2020年8月14日提交于韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2020-0102709的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的主題以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例總體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及通過(guò)將由于保持劣化已改變的導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC)值存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器的掉電保護(hù)區(qū)域中并從其恢復(fù)OCC值來(lái)執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)裝置。本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例還涉及用于這樣的存儲(chǔ)裝置的操作方法。

背景技術(shù)

許多存儲(chǔ)裝置包括至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器。隨著存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量增加，堆疊在非易失性存儲(chǔ)器的基板上的存儲(chǔ)器單元和字線的數(shù)量也隨著所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)比特?cái)?shù)一起增加。

如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的完整性由于各種原因而趨于劣化，這常常取決于使用模式、操作環(huán)境等。存儲(chǔ)裝置可通過(guò)改變非易失性存儲(chǔ)器的操作條件來(lái)克服劣化。因此，可基于(例如)預(yù)期的使用模式和操作環(huán)境預(yù)先確定和設(shè)定改變的操作條件。然而，此方法沒(méi)有克服其中存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布趨于橫跨不同的字線移位的問(wèn)題。

因此，有必要監(jiān)測(cè)非易失性存儲(chǔ)器的劣化狀態(tài)并根據(jù)所監(jiān)測(cè)的劣化程度改變操作條件。然而，即使當(dāng)存儲(chǔ)裝置使用改變的操作條件執(zhí)行讀操作(例如，關(guān)于由于非易失性存儲(chǔ)器中的保持劣化而經(jīng)歷改變的所存儲(chǔ)的OCC值執(zhí)行讀操作并從非易失性存儲(chǔ)器恢復(fù)OCC)時(shí)，這可能有益于在總讀取性能上尋求其他改進(jìn)(例如，減少輸出讀取數(shù)據(jù)所需的時(shí)間)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種存儲(chǔ)裝置，包括：非易失性存儲(chǔ)器，其包括存儲(chǔ)器塊，所述存儲(chǔ)器塊包括第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊；緩沖存儲(chǔ)器，其被配置為將具有第一讀電平的第一讀電壓和具有高于第一讀電平的第二讀電平的第二讀電壓施加到與各個(gè)存儲(chǔ)器塊的參考字線連接的存儲(chǔ)器單元，并且存儲(chǔ)第一導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC1)和第二導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC2)，OCC1指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第一讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量，OCC2指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第二讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；以及控制器，當(dāng)存儲(chǔ)裝置中發(fā)生突然斷電時(shí)，所述控制器將各個(gè)存儲(chǔ)器塊的OCC1存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器的掉電保護(hù)(PLP)區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種存儲(chǔ)裝置，包括：非易失性存儲(chǔ)器，其包括存儲(chǔ)器塊，所述存儲(chǔ)器塊包括第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊；緩沖存儲(chǔ)器，其被配置為將具有第一讀電平的第一讀電壓和具有高于第一讀電平的第二讀電平的第二讀電壓施加到與各個(gè)存儲(chǔ)器塊的參考字線連接的存儲(chǔ)器單元，并且存儲(chǔ)第一導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC1)、第二導(dǎo)通單元計(jì)數(shù)(OCC2)和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)模型，OCC1指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第一讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量，OCC2指示連接到參考字線的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的通過(guò)第二讀電壓導(dǎo)通的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；以及控制器，其被配置為將OCC1、OCC2以及存儲(chǔ)器塊當(dāng)中的目標(biāo)存儲(chǔ)器塊的目標(biāo)字線的編號(hào)輸入到ANN模型，計(jì)算用于確定連接到目標(biāo)字線的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)的讀電平，并且在存儲(chǔ)裝置中發(fā)生突然斷電時(shí)將各個(gè)存儲(chǔ)器塊的OCC1存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器的掉電保護(hù)(PLP)區(qū)域中。