[發(fā)明專利]氧化鋅包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110737254.1 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113517374B | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳子博;吳強(qiáng);李雪;何倩;焦云飛;韓旭然;陳劍宇;應(yīng)世強(qiáng);李誼;馬延文 | 申請(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué);南京億浦先進(jìn)材料研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0336;C23C14/08;C23C14/32;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人: | 姚姣陽 |
| 地址: | 210000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鋅 氧化銅 納米 異質(zhì)結(jié) 陣列 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種氧化鋅包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列的制備方法,本發(fā)明在液相法生長的氧化銅納米線的基礎(chǔ)上,將其作為反應(yīng)襯底,采用弧光放電等離子體技術(shù)將氧化鋅顆粒均勻沉積在氧化銅納米線表面,形成均勻穩(wěn)定的氧化鋅修飾的氧化銅納米線異質(zhì)結(jié)陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的好處在于利用新型氣相沉積技術(shù)可在氧化銅納米線表面一步沉積氧化鋅顆粒,且氧化鋅涂層與氧化銅納米線表面具有強(qiáng)的結(jié)合力,且可大規(guī)模制備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氧化鋅包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列的制備方法,屬于光電材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
氧化鋅(ZnO),是鋅的一種氧化物。難溶于水,可溶于酸和強(qiáng)堿。ZnO具有室溫寬度為3.37eV的直接帶隙,ZnO作為N型半導(dǎo)體的一個顯著特點(diǎn)為具有60meV的激子束縛能,這使得其在室溫或更高溫度下,激子能具有很好的穩(wěn)定性,從而保證其在低激發(fā)能下激子紫外光的有效發(fā)射。因此,ZnO的能帶隙和激子束縛能較大,透明度高,有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能,在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用。此外,微顆粒的氧化鋅作為一種納米材料也開始在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)揮作用。
光電器件的結(jié)構(gòu)大多采用PN結(jié),因此對N型半導(dǎo)體ZnO進(jìn)行P型摻雜引起了人們的興趣,氧化銅(CuO)是一種典型的P型半導(dǎo)體材料,具有較好的光吸收率和較低的熱發(fā)射率。因此,氧化鋅與氧化銅構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可在光電器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
傳統(tǒng)的ZnO與CuO構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的制備方法,多數(shù)為化學(xué)制備方法如水熱法、溶膠-凝膠法等,不僅工藝復(fù)雜而且存在環(huán)境污染等問題,導(dǎo)致無法大規(guī)模生產(chǎn)。
有鑒于此,確有必要對現(xiàn)有的制備方法提出改進(jìn),以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制備簡單且能大規(guī)模生成的氧化鋅包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種氧化鋅包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列的制備方法,包括以下步驟:
步驟S1:使用液相法制備氧化銅納米線;
步驟S2:取潔凈基體,將所述氧化銅納米線涂覆于所述基體上,得到反應(yīng)襯底;
步驟S3:將所述反應(yīng)襯底固定在物理氣相反應(yīng)室中的可旋轉(zhuǎn)的基座上,并使所述物理氣相反應(yīng)室呈中空狀態(tài),采用弧光放電等離子體技術(shù)在所述反應(yīng)襯底上沉積氧化鋅沉積層;
步驟S4:釋放真空度,待所述物理氣相反應(yīng)室內(nèi)恢復(fù)至常壓狀態(tài)后打開所述物理氣相反應(yīng)室,得到氧化鋅顆粒包覆氧化銅納米線的異質(zhì)結(jié)陣列。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),步驟S1具體包括:
步驟S11:將取120g氫氧化鈉樣品置于反應(yīng)瓶內(nèi)加入超純水溶解至200mL后攪拌均勻得到氧化鈉溶液,取2mL乙二胺溶液注入所述氫氧化鈉溶液中得到混合溶液A;
步驟S12:取前驅(qū)體三水合硝酸銅并溶解于超純水中得到硝酸銅溶液,將所述硝酸銅溶液注入所述混合溶液A中攪拌10分鐘得到混合溶液B;
步驟S13:取150μL質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%的水合肼溶液,并注入所述混合溶液B中攪拌30min中得到混合溶液C,將所述混合溶液C在冰水浴中靜置1h后轉(zhuǎn)移至水浴鍋中水浴加熱,取上層反應(yīng)產(chǎn)物抽濾,用超純水、乙醇、丙酮分別清洗三次得到銅納米線陣列;
步驟S14:將所述銅納米線陣列加入500ml乙醇和水的混合液,得到混合溶液D,然后將所述混合溶液D加入圓底燒瓶中,通入氧氣,在70℃下攪拌8小時,得到所述氧化銅納米線。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S12中,所述硝酸銅溶液的制備為將0.241g前驅(qū)體三水合硝酸銅溶解于10mL超純水中制備獲取。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S13中質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%的所述水合肼溶液的體積還可以為200μL。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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