[發明專利]顯示設備和制造該顯示設備的方法在審
| 申請號: | 202110737033.4 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113889511A | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 柳春基;金亨學 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓芳;劉美華 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
1.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
基底,包括主顯示區域、組件區域和外圍區域,其中,所述組件區域包括透射區域,并且所述外圍區域布置在所述主顯示區域外部;
主薄膜晶體管,布置在所述主顯示區域中;
主有機發光二極管,布置在所述主顯示區域中并連接到所述主薄膜晶體管;
輔助薄膜晶體管,布置在所述組件區域中;
輔助有機發光二極管,布置在所述組件區域中并連接到所述輔助薄膜晶體管;以及
下金屬層,在所述組件區域中布置在所述基底與所述輔助薄膜晶體管之間并且具有底切結構。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述下金屬層包括在所述顯示設備的厚度方向上具有第一厚度的第一金屬層和在所述顯示設備的所述厚度方向上具有第二厚度的第二金屬層,
其中,所述第二厚度大于所述第一厚度。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第一厚度為至并且所述第二厚度為至
4.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述下金屬層包括對應于所述透射區域的第一孔。
5.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第二金屬層具有所述底切結構。
6.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第一金屬層包括Ti、Cr、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一種。
7.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第二金屬層包括Mo。
8.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述下金屬層直接布置在所述基底的上表面上。
9.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述下金屬層和所述輔助薄膜晶體管至少部分地彼此疊置。
10.根據權利要求1所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
封裝基底,布置在所述基底上方。
11.根據權利要求1所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
組件,在所述組件區域中布置在所述基底下方。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述組件包括成像裝置或傳感器。
13.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
基底,包括主顯示區域、組件區域和外圍區域,其中,所述組件區域包括透射區域,并且所述外圍區域布置在所述主顯示區域外部;
主薄膜晶體管,布置在所述主顯示區域中;
主有機發光二極管,布置在所述主顯示區域中并連接到所述主薄膜晶體管;
輔助薄膜晶體管,布置在所述組件區域中;
輔助有機發光二極管,布置在所述組件區域中并連接到所述輔助薄膜晶體管;
下金屬層,在所述組件區域中布置在所述基底與所述輔助薄膜晶體管之間;以及
金屬層,布置在所述下金屬層上并且具有底切結構。
14.根據權利要求13所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
輔助存儲電容器,布置在所述組件區域中,
其中,所述輔助薄膜晶體管包括輔助柵電極,并且所述輔助存儲電容器包括輔助下電極和輔助上電極。
15.根據權利要求14所述的顯示設備,其中,所述金屬層包括第一金屬層和布置在所述第一金屬層上并具有所述底切結構的第二金屬層。
16.根據權利要求15所述的顯示設備,其中,所述金屬層與所述輔助柵電極布置在同一層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





