[發(fā)明專(zhuān)利]具有多個(gè)堆疊活性區(qū)的VCSEL設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110733243.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-06-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113872046A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-12-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R.F.卡森;李念宜;M.E.沃倫;T.法寧;G.巴欽 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 朗美通經(jīng)營(yíng)有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01S5/183 | 分類(lèi)號(hào)： | H01S5/183;H01S5/02253;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳茜 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 堆疊 活性 vcsel 設(shè)備 | ||
1.一種VCSEL陣列設(shè)備，包括：
半導(dǎo)體襯底；
兩個(gè)或多個(gè)VCSEL設(shè)備，每個(gè)VCSEL設(shè)備包括：
在半導(dǎo)體襯底的頂部上的第一臺(tái)面，每個(gè)第一臺(tái)面形成第一側(cè)并包括與半導(dǎo)體襯底接觸的下部鏡，
上部鏡，
用反向隧道結(jié)電連接的多個(gè)外延堆疊的活性區(qū)，每個(gè)活性區(qū)產(chǎn)生光并位于下部鏡和上部鏡之間，以及
與上部鏡電接觸的第一金屬接觸墊；
一個(gè)或多個(gè)短路設(shè)備，所述一個(gè)或多個(gè)短路設(shè)備中的每個(gè)短路設(shè)備在半導(dǎo)體襯底的頂部上形成第二臺(tái)面，每個(gè)第二臺(tái)面形成第二側(cè)并包括電連接到半導(dǎo)體襯底的第二金屬接觸墊；
沉積在每個(gè)VCSEL設(shè)備和每個(gè)短路設(shè)備上方的多個(gè)金屬熱沉結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)金屬熱沉結(jié)構(gòu)中的沉積在每個(gè)VCSEL設(shè)備上方的第一組熱沉結(jié)構(gòu)，第一組熱沉結(jié)構(gòu)電連接到第一金屬接觸墊并與半導(dǎo)體襯底電絕緣，多個(gè)金屬熱沉結(jié)構(gòu)中的沉積在每個(gè)短路設(shè)備上的第二組熱沉結(jié)構(gòu)電連接到第二金屬接觸墊并與第一組熱沉結(jié)構(gòu)電絕緣；和
結(jié)合到第一組熱沉結(jié)構(gòu)和第二組熱沉結(jié)構(gòu)的散熱襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中介電材料層至少位于上部鏡的上表面的一部分和第一側(cè)與第一組熱沉結(jié)構(gòu)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，還包括在散熱襯底和第一組熱沉結(jié)構(gòu)和第二組熱沉結(jié)構(gòu)之間的結(jié)合層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中第一組熱沉結(jié)構(gòu)和第二組熱沉結(jié)構(gòu)倒裝結(jié)合到散熱襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中兩個(gè)或多個(gè)VCSEL設(shè)備并聯(lián)連接，還包括接地平面，所述接地平面基本上包圍所有兩個(gè)或多個(gè)VCSEL，形成共面波導(dǎo)引線，并電連接到每個(gè)短路設(shè)備的第二金屬接觸墊，以形成接地-信號(hào)-接地配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中每個(gè)短路設(shè)備的第二金屬接觸墊電連接到接地平面，而沒(méi)有引線結(jié)合。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中兩個(gè)或多個(gè)VCSEL并聯(lián)連接，還包括接地平面，所述接地平面完全包圍兩個(gè)或多個(gè)VCSEL設(shè)備，形成共面波導(dǎo)引線，并電連接到每個(gè)短路設(shè)備的第二金屬接觸墊，以形成接地-信號(hào)-接地配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中兩個(gè)或多個(gè)VCSEL設(shè)備還包括位于活性區(qū)和第一金屬接觸墊之間的容納區(qū)，該容納區(qū)限定減小第一臺(tái)面內(nèi)的電容的孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，還包括位于兩個(gè)或多個(gè)VCSEL設(shè)備上方的一組透鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中該組透鏡中的每個(gè)透鏡按照將光導(dǎo)向一位置所需的偏移距離定位在每個(gè)VCSEL設(shè)備上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中VCSEL陣列設(shè)備用作光纖和光學(xué)自由空間中的至少一個(gè)中的高速數(shù)據(jù)通信的發(fā)射器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中VCSEL陣列設(shè)備用作用于材料加工的短脈沖發(fā)射器或光學(xué)泵。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中VCSEL陣列設(shè)備用作用于激光探測(cè)和測(cè)距或光探測(cè)和測(cè)距的脈沖發(fā)射器。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中VCSEL陣列設(shè)備用在光束控制設(shè)備和照明設(shè)備中的至少一個(gè)中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列設(shè)備，其中多個(gè)外延堆疊活性區(qū)中的每個(gè)外延堆疊活性區(qū)包括由相同或不同帶隙MQW制成的多量子阱(MQW)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于朗美通經(jīng)營(yíng)有限責(zé)任公司，未經(jīng)朗美通經(jīng)營(yíng)有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110733243.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇：具有相互耦合的電感器的可調(diào)諧濾波器
- 下一篇：中間軸軸向保持裝置
