[發明專利]放電電路及存儲器的放電控制電路系統有效
| 申請號: | 202110733219.2 | 申請日: | 2021-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN113470720B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 魏汝新;蔡友剛 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | G11C16/30 | 分類號: | G11C16/30 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放電 電路 存儲器 控制電路 系統 | ||
1.放電電路,其特征在于,包括:
共柵輸入模塊,包括第一輸入支路和第二輸入支路,其中,所述第一輸入支路的第一端連接至放電電源端,所述第二輸入支路的第一端連接至供電電源端,所述放電電源端為存儲器的控制線;
驅動電流模塊,被配置為提供第一驅動電流至所述第一輸入支路以及提供第二驅動電流至所述第二輸入支路;
第一電阻,連接于所述供電電源端和所述放電電源端之間;以及
放電開關管,其控制端連接至所述第一輸入支路的第二端,第一端連接至所述放電電源端,第二端連接至接地端。
2.根據權利要求1所述的放電電路,其特征在于,還包括:第二電阻,連接于所述第一輸入支路的第一端和所述放電電源端之間。
3.根據權利要求2所述的放電電路,其特征在于,所述第二電阻的電阻值可調整,并被配置為根據其電阻值使所述放電電源端放電至目標電壓值。
4.根據權利要求1所述的放電電路,其特征在于,所述放電開關管被配置為使所述放電電源端放電至所述供電電源端的電壓值。
5.根據權利要求3所述的放電電路,其特征在于,在所述放電電源端的電壓值Vdis、所述供電電源端的電壓值Vdd、所述第一驅動電流的電流值I1以及所述第二電阻的電阻值R2滿足Vdis>Vdd+I1×R2的情況下,所述放電開關管控制所述放電電源端和所述接地端連接。
6.根據權利要求3所述的放電電路,其特征在于,所述第一輸入支路包括第一晶體管,所述第二輸入支路包括第二晶體管,其中,
所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制端連接,所述第二晶體管的控制端與所述第二晶體管的第二端連接;
所述第一晶體管的第一端連接至所述第二電阻,所述第二晶體管的第一端連接至所述供電電源端;
所述第一晶體管的第二端被施加所述第一驅動電流,所述第二晶體管的第二端被施加所述第二驅動電流。
7.根據權利要求6所述的放電電路,其特征在于,所述第一晶體管和所述第二晶體管均為PMOS晶體管或者PNP型晶體管。
8.根據權利要求1或6所述的放電電路,其特征在于,所述放電開關管為NMOS晶體管或者NPN型晶體管。
9.根據權利要求6所述的放電電路,其特征在于,所述驅動電流模塊包括電流鏡。
10.根據權利要求6所述的放電電路,其特征在于,所述驅動電流模塊包括:第三晶體管和第四晶體管,其中,
所述第三晶體管和所述第四晶體管的第二端接地,所述第三晶體管和所述第四晶體管的控制端彼此連接,并用于接收控制電壓,所述第四晶體管的第一端與所述第二晶體管的第二端連接,所述第三晶體管的第一端與所述第一晶體管的第二端連接。
11.根據權利要求10所述的放電電路,其特征在于,所述第三晶體管和所述第四晶體管均為NMOS晶體管或者NPN型晶體管。
12.存儲器的放電控制電路系統,其特征在于,包括:
如權利要求1至11中任一項所述的放電電路,其中,所述放電電路的驅動電流模塊具有輸入控制端;以及
主控開關管,連接于所述放電電源端和所述放電電路之間,并且所述主控開關管的控制端與所述輸入控制端連接,其中,所述供電電源端為所述存儲器的供電電源端。
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