[發明專利]微影系統與其操作的方法

在審

• 申請號: 202110732867.6
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN114911138A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 蔡政宏;余昇剛;簡上傑;劉恒信;陳立銳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種微影系統與其操作的方法，操作微影系統的方法包括沉積遮罩層在基材上、根據圖案將反射自微影系統的組合式集光器的集光器中央區的第一輻射導向遮罩層、根據圖案將反射自組合式集光器的第一集光器周邊區的第二輻射導向遮罩層，其中第一集光器周邊區通過第一縫隙與集光器中央區垂直隔開。操作微影系統的方法包括移除遮罩層的數個第一區域和數個第二區域以形成數個開口在此遮罩層中，其中遮罩層的第一區域暴露在第一輻射及遮罩層的第二區域暴露在第二輻射。操作微影系統的方法包括移除顯露在開口中位于此遮罩層下方的層的材料。

技術領域

本揭示案實施例是有關于微影系統與其操作的方法，尤其是極紫外微影系統與其操作的方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit,IC)產業已歷經了指數成長。IC材料及設計的技術性進步已產生了數個世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更復雜的電路。在IC演進的歷程中，功能密度(即單位晶片面積的內連線裝置數目)通常會增加，而幾何尺寸(即可使用制程生產的最小元件(或線))卻減少。此微縮化(scaling down)的制程通常通過提高生產效率及降低相關成本來提供效益。此微縮化亦增加IC制程的復雜性。

發明內容

根據本揭示案的一個實施例，一種操作微影系統的方法包括沉積遮罩層在基材上、根據圖案將反射自微影系統的組合式集光器的集光器中央區的第一輻射導向遮罩層、根據圖案將反射自組合式集光器的第一集光器周邊區的第二輻射導向遮罩層，其中第一集光器周邊區通過第一縫隙與集光器中央區垂直隔開。操作微影系統的方法包括移除遮罩層的數個第一區域和數個第二區域以形成數個開口在此遮罩層中，其中遮罩層的第一區域暴露在第一輻射及遮罩層的第二區域暴露在第二輻射。操作微影系統的方法包括移除顯露在開口中位于此遮罩層下方的層的材料。

根據本揭示案的另一實施例，一種操作微影系統的方法包括通過來自第一組合式集光器的第一輻射以圖案化第一層在第一晶圓上、用第二集光器片段取代第一組合式集光器的第一集光器片段以形成第二組合式集光器、以及通過來自第二組合式集光器的第二輻射以圖案化第二層在第二晶圓上。

根據本揭示案的又一實施例，一種微影系統包括晶圓載臺、數個投影光學件、遮罩載臺、數個照明光學件和光源。晶圓載臺設置以支撐一晶圓。數個投影光學件設置以將圖案化輻射導向晶圓的區域上。遮罩載臺設置以形成圖案化輻射并將圖案化輻射導向投影光學件。數個照明光學件設置以將未圖案化輻射導向遮罩載臺。光源包括液滴產生器、激光源以及組合式集光器。液滴產生器設置以產生液滴。激光源設置以發出至少一激光脈沖至液滴。組合式集光器設置以反射輻射至照明光學件，其中輻射由液滴產生，且組合式集光器包括集光器中央區以及第一集光器周邊區。集光器中央區設置以反射輻射的第一部分。第一集光器周邊區設置以反射輻射的第二部分，第一集光器周邊區與集光器中央區重疊在第一重疊區域中。第一重疊區域包括第一垂直縫隙介于第一集光器周邊區與集光器中央區之間。

附圖說明

閱讀以下實施方法時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。應注意的是，根據業界的標準做法，各種特征并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種特征的尺寸可能任意地放大或縮小。

圖1A至圖1B根據本揭示案的各種實施例繪示部分的微影掃描器的示意圖；

圖2A至圖2H根據本揭示案的各種觀點繪示微影掃描器的組合式集光器的各種實施例的示意圖；

圖3A至圖3E根據本揭示案的各種實施例繪示在組合式集光器內的氣流的示意圖；

圖4和圖5根據本揭示案的各種觀點繪示制造裝置的方法的流程圖。

【符號說明】

10:微影曝光系統

16:遮罩載臺

18:遮罩

22:半導體晶圓