[發明專利]一種功率放大器及控制方法

在審

• 申請號: 202110731210.8
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113437945A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 金冬;周勇;唐東杰;龔全熙
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F1/32;H03F1/34
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

1.一種功率放大器，其特征在于，包括放大電路、偏置電路、功率探測電路和功率控制電路；所述放大電路設置有第一HBT晶體管和第五電阻，所述偏置電路的輸出端和第五電阻的第一端口連接，所述第五電阻的第二端口和第一HBT晶體管的基極連接，所述第一HBT晶體管的集電極與功率探測電路的輸入端連接，所述功率探測電路的輸出端與功率控制電路的輸入端連接，所述功率控制電路的輸出端和偏置電路的輸入端連接；所述功率探測電路用于獲取功率放大器的輸出功率，將獲取到的輸出功率轉化為電壓信號并反饋到功率控制電路；所述功率控制電路用于根據獲取到的電壓信號調整偏置電路的偏置電壓。

2.根據權利要求1所述的一種功率放大器，其特征在于，所述功率控制電路用于根據獲取到的電壓信號調整偏置電路的偏置電壓，具體為：所述功率控制電路根據獲取到的電壓信號判斷是否進入工作狀態，若是則從偏置電路中抽取電流，若否則功率控制電路不工作。

3.根據權利要求1所述的一種功率放大器，其特征在于，所述功率探測電路包括第一電容、第一二極管、第二二極管、第二電容、第一電阻，所述第一電容的第一端口和功率探測電路的輸入端連接，所述第一電容的第二端口的和第二二極管的陽極連接，所述第二二極管的負極和功率控制電路的輸入端連接，所述第一二極管的負極和第一電容的第二端口連接，所述第一二極管的陽極接地，所述第二電容的第一端口和第二二極管的負極連接，所述第二電容的第二端口接地，所述第一電阻的第一端口和第二二極管的負極連接，所述第一電阻的第二端口接地，所述第一電阻的第一端口與功率探測電路的輸出端連接。

4.根據權利要求1所述的一種功率放大器，其特征在于，所述功率控制電路包括第二電阻、第二HBT晶體管、第三HBT晶體管和第三電阻，所述第二電阻的第一端口和功率控制電路的輸入端連接，所述第二電阻的第二端口與第二HBT晶體管的基極和第三HBT晶體管的集電極連接，所述第三HBT晶體管的發射極和第三電阻的第一端口連接，所述第三HBT晶體管的基極與第三電阻的第二端口連接，所述第三HBT晶體管的基極和第二HBT晶體管的發射極連接，所述第二HBT晶體管的集電極和功率控制電路的輸出端連接，所述第三電阻的第一端口接地。

5.根據權利要求1所述的一種功率放大器，其特征在于，所述偏置電路包括第四電阻、第四HBT晶體管、第五HBT晶體管、第六HBT晶體管和第三電容，所述第四電阻的第一端口與偏置電路的輸入端和第五HBT晶體管的集電極連接，所述第五HBT晶體管的發射極和第六HBT晶體管的集電極連接，所述第六HBT晶體管的基極和第六HBT晶體管的集電極連接，所述第六HBT晶體管的發射極接地；所述第五HBT晶體管的基極和第四HBT晶體管的基極連接，所述第五HBT晶體管的基極和第五HBT晶體管的集電極連接，所述第四HBT晶體管的集電極和第四電阻的第二端口連接，所述第四HBT晶體管的發射極和偏置電路的輸出端連接，所述第四電阻的第二端口和電源輸入端連接，所述第三電容的第一端口和第四HBT晶體管的基極連接，所述第三電容的第二端口接地。

6.根據權利要求1－5任一所述的一種功率放大器，其特征在于，所述放大電路還設置有第四電容，所述第四電容的第一端口和射頻信號輸入端連接，所述第四電容的第二端口和所述第一HBT晶體管的基極連接，所述第一HBT晶體管的集電極和射頻信號輸出端連接，所述第一HBT晶體管的發射極接地。

7.一種功率放大器的控制方法，其特征在于，應用權利要求1－6的功率放大器，包括如下步驟：

控制所述功率探測電路獲取功率放大器的輸出功率，并將獲取到的輸出功率轉換為電壓信號；

將所述電壓信號反饋到功率控制電路使功率控制電路根據獲取到的電壓信號判斷是否調整偏置電路的偏置電壓。

8.根據權利要求7所述的一種功率放大器的控制方法，其特征在于，若所述電壓信號使功率控制電路滿足預設的工作條件則從偏置電路中抽取電流，若不滿足預設的工作條件則功率控制電路不工作。