[發(fā)明專利]一種芯片的失效分析方法及裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110730379.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN113486622B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海光信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/392
• 分類號(hào): G06F30/392;G06V10/774;G06V10/44;G06V10/75;G06F119/02
• 代理公司: 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237
• 代理人: 張仲波

本發(fā)明實(shí)施例公開一種芯片的物理失效分析方法及裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，能夠有效提高芯片的失效分析效率。所述方法包括：根據(jù)電學(xué)失效分析，獲取目標(biāo)芯片中可疑失效點(diǎn)的位置信息，所述位置信息包括所述可疑失效點(diǎn)在所述目標(biāo)芯片中所處的目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖，以及所述可疑失效點(diǎn)在所述目標(biāo)圖層中的位置；根據(jù)所述可疑失效點(diǎn)的位置信息，獲取所述目標(biāo)芯片中預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的芯片圖像，得到第一圖像，所述預(yù)設(shè)范圍與所述位置信息相對(duì)應(yīng)；通過預(yù)設(shè)的圖像識(shí)別模型，對(duì)所述第一圖像進(jìn)行輪廓識(shí)別，得到第二圖像；根據(jù)所述第二圖像及所述目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖，確定所述可疑失效點(diǎn)的物理失效情況。本發(fā)明適用于芯片失效分析中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片的失效分析方法及裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

工藝制程異常導(dǎo)致芯片故障時(shí)，往往會(huì)首先通過eFA(electrical failureanalysis，電學(xué)失效分析)去查找潛在失效。例如目前SCAN(掃描)診斷就是一種廣泛且有效的電學(xué)失效分析手段，通過該手段的分析獲得潛在的失效點(diǎn)位置和對(duì)應(yīng)的電路版圖。eFA分析獲得失效點(diǎn)位置后，需要人工在芯片中找到對(duì)應(yīng)的失效點(diǎn)，并對(duì)失效點(diǎn)進(jìn)行物理失效分析PFA(physical failure analysis，物理失效分析)，以便改進(jìn)工藝。

然而，由于集成電路尺寸的不斷減小，電路密度的不斷增大，根據(jù)eFA提供的可疑失效點(diǎn)位置和電路版圖在芯片中查找對(duì)應(yīng)的失效點(diǎn)也需要耗費(fèi)大量的時(shí)間，效率低下。特別是隨著制程進(jìn)入10納米(nm)，5nm乃至3nm的時(shí)代，metal線寬越來越小，高寬高比(highaspect ratio)的版圖結(jié)構(gòu)使得PFA人工分析定位愈加困難。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片的物理失效分析方法及裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠有效提高芯片的失效分析效率。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片的失效分析方法，包括：根據(jù)電學(xué)失效分析，獲取目標(biāo)芯片中可疑失效點(diǎn)的位置信息，所述位置信息包括所述可疑失效點(diǎn)在所述目標(biāo)芯片中所處的目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖，以及所述可疑失效點(diǎn)在所述目標(biāo)圖層中的位置；根據(jù)所述可疑失效點(diǎn)的位置信息，獲取所述目標(biāo)芯片中預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的芯片圖像，得到第一圖像，所述預(yù)設(shè)范圍與所述位置信息相對(duì)應(yīng)；通過預(yù)設(shè)的圖像識(shí)別模型，對(duì)所述第一圖像進(jìn)行輪廓識(shí)別，得到第二圖像；根據(jù)所述第二圖像及所述目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖，確定所述可疑失效點(diǎn)的物理失效情況。

可選的，所述根據(jù)所述可疑失效點(diǎn)的位置信息，獲取所述目標(biāo)芯片中預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的芯片圖像包括：根據(jù)所述可疑失效點(diǎn)的位置信息，在所述目標(biāo)芯片中確定所述可疑失效點(diǎn)的查找范圍，所述查找范圍小于所述目標(biāo)圖層中以所述可疑失效點(diǎn)為圓心，以預(yù)設(shè)長度為半徑的圓；獲取所述查找范圍內(nèi)所述目標(biāo)芯片的圖像。

可選的，所述通過預(yù)設(shè)的圖像識(shí)別模型，對(duì)所述第一圖像進(jìn)行輪廓識(shí)別之前，所述方法還包括：以芯片的至少一個(gè)切面的歷史圖像為訓(xùn)練樣本，進(jìn)行輪廓識(shí)別的機(jī)器學(xué)習(xí)訓(xùn)練，得到所述圖像識(shí)別模型。

可選的，所述根據(jù)所述第二圖像及所述目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖，確定所述可疑失效點(diǎn)的物理失效情況包括：在所述第二圖像中獲取當(dāng)前定位點(diǎn)對(duì)應(yīng)的芯片圖案信息，得到當(dāng)前芯片圖案；確定所述當(dāng)前芯片圖案與所述可疑失效點(diǎn)所在位置對(duì)應(yīng)的目標(biāo)版圖圖案是否一致；在所述當(dāng)前芯片圖案與所述目標(biāo)版圖圖案一致的情況下，對(duì)所述當(dāng)前芯片圖案與所述目標(biāo)版圖圖案進(jìn)行匹配度分析；在所述當(dāng)前芯片圖案與所述目標(biāo)版圖圖案不一致的情況下，對(duì)所述當(dāng)前定位點(diǎn)進(jìn)行調(diào)整。

可選的，所述在所述當(dāng)前芯片圖案與所述目標(biāo)版圖圖案不一致的情況下，對(duì)所述當(dāng)前定位點(diǎn)進(jìn)行調(diào)整包括：在所述目標(biāo)圖層對(duì)應(yīng)的版圖中，查找與所述當(dāng)前芯片圖案一致的版圖圖案，得到當(dāng)前版圖圖案；確定所述當(dāng)前版圖圖案與所述目標(biāo)版圖圖案之間的相對(duì)位置；根據(jù)所述相對(duì)位置調(diào)整所述當(dāng)前定位點(diǎn)。