[發(fā)明專利]通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110728158.0 | 申請日: | 2021-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN113376955A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何大權(quán);陳翰;張辰明 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通孔層 opc 熱點(diǎn) 修補(bǔ) 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法,包括:輸入初始OPC圖形和熱點(diǎn)標(biāo)記圖形;延伸和放大所述熱點(diǎn)標(biāo)記圖形的中心線,以得到優(yōu)化標(biāo)記圖形;選擇與所述優(yōu)化標(biāo)記圖形接觸的所述初始OPC圖形的邊作為接觸邊,選擇與所述接觸邊相鄰的相鄰邊;向所述初始OPC圖像的內(nèi)部的方向擴(kuò)展所述接觸邊,并且向所述初始OPC圖形的外部的方向擴(kuò)展相鄰邊,完成對OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)。本發(fā)明可以修補(bǔ)通孔層的OPC熱點(diǎn),并且修補(bǔ)后不會(huì)產(chǎn)生新的OPC熱點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)
OPC熱點(diǎn)修補(bǔ)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于OPC出版流程中,進(jìn)入28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下,受OPC精度要求以及工藝窗口要求等因素的影響,OPC熱點(diǎn)的數(shù)量數(shù)以萬計(jì),采用現(xiàn)有技術(shù)的OPC修補(bǔ)方法修補(bǔ)成功率不高,耗費(fèi)較多的資源和出版時(shí)間,而且需要一定的人工與經(jīng)驗(yàn)。
通孔層的OPC熱點(diǎn)主要包括模擬通孔偏小,模擬通孔間距偏小,模擬通孔與POLY層間距偏小等。現(xiàn)有技術(shù)的通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法,是通過OPC后模擬驗(yàn)證可以把通孔OPC熱點(diǎn)位置進(jìn)行標(biāo)記,然后對標(biāo)記圖形進(jìn)行優(yōu)化,使優(yōu)化后標(biāo)記圖形能夠接觸需要修補(bǔ)的圖形邊,并且不接觸不需要移動(dòng)的圖形邊,然后設(shè)定移動(dòng)量,移動(dòng)需要移動(dòng)的圖形邊增加相應(yīng)的掩模板尺寸,從而減少OPC熱點(diǎn)。如圖1所示,在OPC后模擬驗(yàn)證中發(fā)現(xiàn)橋接(通孔間距偏小)的OPC圖形,在OPC驗(yàn)證中輸出熱點(diǎn)標(biāo)記圖形100;對熱點(diǎn)標(biāo)記圖形100進(jìn)行處理,得到優(yōu)化標(biāo)記圖形,移動(dòng)與優(yōu)化標(biāo)記圖形接觸的初始OPC圖形200的邊,得到修補(bǔ)OPC圖形,如圖2所示;以上即為一個(gè)OPC熱點(diǎn)修補(bǔ)循環(huán),在這個(gè)OPC熱點(diǎn)修補(bǔ)循環(huán)中,通過放大橋接熱點(diǎn)對應(yīng)的圖形邊,增加通孔間距,避免通孔之間的橋接風(fēng)險(xiǎn);然而在增加通孔間距的過程中,通孔面積也相應(yīng)的減少,因而會(huì)引起通孔尺寸偏小問題,如圖3所示,修補(bǔ)圖形模擬輪廓顯示,在增加通孔間距的同時(shí),與橋接熱點(diǎn)垂直方向模擬通孔400尺寸也比通孔目標(biāo)圖形300相應(yīng)減小,導(dǎo)致模擬通孔400偏小的OPC熱點(diǎn)。雖然模擬通孔400偏小OPC熱點(diǎn)可以在下一個(gè)熱點(diǎn)修補(bǔ)循環(huán)中進(jìn)行處理,然而在增加通孔尺寸解決模擬通孔400偏小問題的同時(shí),也會(huì)導(dǎo)致模擬通孔400間距偏小,引起產(chǎn)生新的橋接熱點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn);因此,傳統(tǒng)的通孔OPC熱點(diǎn)修補(bǔ)方法存在引起修補(bǔ)后不收斂的風(fēng)險(xiǎn),導(dǎo)致OPC熱點(diǎn)修補(bǔ)不徹底,或產(chǎn)生新的OPC熱點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法,可以修補(bǔ)通孔層的OPC熱點(diǎn),并且修補(bǔ)后不會(huì)產(chǎn)生新的OPC熱點(diǎn)。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法,包括:
輸入初始OPC圖形和熱點(diǎn)標(biāo)記圖形;
延伸和放大所述熱點(diǎn)標(biāo)記圖形的中心線,以得到優(yōu)化標(biāo)記圖形;
選擇與所述優(yōu)化標(biāo)記圖形接觸的所述初始OPC圖形的邊作為接觸邊,選擇與所述接觸邊相鄰的相鄰邊;
向所述初始OPC圖像的內(nèi)部的方向擴(kuò)展所述接觸邊,并且向所述初始OPC圖形的外部的方向擴(kuò)展相鄰邊,完成對OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)。
可選的,在所述的通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法中,所述熱點(diǎn)標(biāo)記圖形為多邊形。
可選的,在所述的通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法中,與所述優(yōu)化標(biāo)記圖形接觸的初始OPC圖形為兩個(gè),分別為第一初始OPC圖形和第二初始OPC圖形。
可選的,在所述的通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法中,第一OPC初始圖形包含一條接觸邊,為第一接觸邊,同時(shí),包含兩條相鄰邊,分別為第一相鄰邊和第二相鄰邊;第二OPC初始圖形包含兩條相互平行的接觸邊,為第二接觸邊,同時(shí),包含兩條相鄰邊,分別為第三相鄰邊和第四相鄰邊。
可選的,在所述的通孔層的OPC熱點(diǎn)的修補(bǔ)方法中,所述延伸和放大所述熱點(diǎn)標(biāo)記圖形的中心線得到方法包括:
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- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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