[發明專利]復合型微流控芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 202110726803.5
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113426498B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 劉瑞
• 申請（專利權）人: 江蘇甫瑞微納傳感科技有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 趙世發

1.一種復合型微流控芯片，其特征在于包括：依次疊設的測試結構層、微流控通道層和加熱結構層；

所述測試結構層包括第一基片和多個間隔設置的測試電極，所述第一基片的第一面上設置有第一凹槽，所述測試電極設置在所述第一凹槽內，相鄰兩個測試電極之間形成有可供待檢測流體流動的第一流道；

所述微流控通道層包括第二基片，所述第二基片具有背對設置的第二面和第三面，所述第二面與所述第一面固定結合，且所述第二面上設置有至少一個可供待檢測流體流動的第二流道，所述第二流道與所述第一凹槽圍合形成可供待檢測流體流動的微流控通道，所述第一流道為所述微流控通道的一部分，每一所述第一流道還與一第二流道相對應，且所述第一流道的寬度大于所述第二流道的寬度，而使由一第一流道與一第二流道形成的一微流控通道的截面呈凸字形；所述第三面上設置有第二凹槽，所述第二凹槽的表面還形成有毛細結構，所述毛細結構包括多個微納尺寸的微凸起和微凹槽，

所述加熱結構層包括第三基片和加熱電極，所述第三基片具有背對設置的第四面和第五面，所述加熱電極固定設置在所述第四面上，所述第四面與所述第三面固定結合，所述第二凹槽與所述第四面圍合形成一收容腔體，所述加熱電極固設置在所述收容腔體內，且所述加熱電極與所述微流控通道層無直接接觸；

以及，測試電極引出機構和加熱電極引出機構，所述測試電極引出機構、加熱電極引出機構分別與所述測試電極、加熱電極電連接。

2.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述測試電極引出機構經第一導電通道與所述測試電極電連接。

3.根據權利要求2所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述第一導電通道包括沿厚度方向貫穿所述加熱結構層、微流控通道層的第一通孔以及填充在所述第一通孔內的導電材料。

4.根據權利要求3所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述第一通孔的孔徑為50-1000μm。

5.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述測試電極的厚度為100-1000nm。

6.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述微流控通道的寬度為1-5000μm。

7.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述加熱電極的厚度為100-5000nm。

8.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述測試電極引出機構和加熱電極引出機構設置在所述第五面上，以及，所述加熱電極引出機構還經第二導電通道與所述加熱電極電連接。

9.根據權利要求8所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述第二導電通道包括沿厚度方向貫穿所述第三基片的第二通孔以及填充在所述第二通孔內的導電材料。

10.根據權利要求9所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述第二通孔的孔徑為50-1000μm。

11.根據權利要求1所述的復合型微流控芯片，其特征在于：所述第一基片、第二基片和第三基片包括玻璃基片、硅基片、石英基片和聚合物基片中的任意一種。