[發明專利]MOSFET檢測電路及方法

有效

• 申請號: 202110726619.0
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113447789B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 蔡浩;周鵬書;雷華;歐陽婷;岑有重;李毅飛
• 申請（專利權）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 曾令軍

本發明公開MOSFET檢測電路和檢測方法，通過對現有MOSFET雪崩擊穿檢測電路進行改進，引入驅動MOSFET作為電路開關，從而使得待測MOSFET不需要再在電路中作為電路開關使用，從而使得待測MOSFET的柵極上不需要接入啟動電壓，避免了柵極寄生電容對雪崩擊穿電壓變化時間的影響，使得獲得的待測MOSFET的電壓變化率提高，以滿足實際應用中對MOSFET的電壓變化率的要求。

技術領域

本發明涉及對電子元器件的檢測領域，尤其涉及對 MOSFET((Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管)進行檢測的電路及方法。

背景技術

功率MOSFET是應用十分廣泛的半導體器件，常用于高頻開關電路中。在一般的應用中，并不需要關注MOSFET的電壓變化率。但在某些特定的應用中，主要是開關的影響，導致電路的電壓變化率很快，如果MOSFET的電壓變化率不符合要求，則有可能會導致MOSFET的錯誤工作或者永久損害(即MOSFET的耐壓不夠)。因此，在這些特定應用中的MOSFET的電壓變化率就非常重要，需要對其電壓變化率是否滿足要求進行檢測。但是現有技術并沒有提供可以很好檢測上述特定應用中MOSFET的電壓變化率的技術方案。因此，提供一種可以檢測 MOSFET的電壓變化率是否滿足要求的技術方案非常必要。

其中，上述MOSFET電壓變化率用dv/dt表示,是指MOSFET開關瞬間，其漏極和源極之間的電壓V_DS的變化速率。

發明內容

本發明實施例針對某些特定應用中對MOSFET的電壓變化率的要求，提供一種MOSFET電壓變化率的檢測電路，可以檢測出其電壓變化率是否滿足要求，從而將不符合要求的MOSFET挑出，以免不符合要求的MOSFET在電路中起不到應有的作用或者被損害導致電路的失效。同時，提供使用上述檢測電路檢測MOSFET 電壓變化率的方法，用于將符合要求電壓變化率要求的MOSFET挑選出來應用到特定的電路應用中，保證該特定電路的運行。

一種MOSFET檢測電路，用于檢測NMOSFET的電壓變化率，包括驅動子電路和檢測子電路；

所述驅動子電路包括驅動NMOSFET、電感L、第一直流電源和第二直流電源；所述第一直流電源提供驅動NMOSFET柵極的電壓Vgs，用于打開或者關閉所述驅動NMOSFET；所述第二直流電源的正極連接所述驅動NMOSFET的漏極，負極連接所述驅動NMOSFET的源極；在所述驅動NMOSFET的漏極與所述第二直流電源的正極之間串聯所述電感L；

所述檢測子電路用于安裝待檢測NMOSFET，所述檢測子電路中設置有檢測儀器；所述檢測子電路包括第一連接點和第二連接點，所述第一連接點連接至所述驅動NMOSFET的漏極；所述第二連接點連接至所述驅動NMOSFET的源極；所述第一連接點用于連接待測NMOSFET的漏極，所述第二連接點用于連接待測 NMOSFET的源極。

一種MOSFET檢測電路，用于檢測PMOSFET的電壓變化率，包括驅動子電路和檢測子電路；

所述驅動子電路包括驅動PMOSFET、電感L、第一直流電源和第二直流電源；所述第一直流電源提供驅動PMOSFET柵極的電壓Vgs，用于打開或者關閉所述驅動PMOSFET；所述第二直流電源的正極連接所述驅動PMOSFET的源極，負極連接所述驅動PMOSFET的漏極；在所述驅動PMOSFET的源極與所述第二直流電源的正極之間串聯所述電感L；

所述檢測子電路用于安裝待檢測PMOSFET，所述檢測子電路中設置有檢測儀器；所述檢測子電路包括第一連接點和第二連接點，所述第一連接點連接至所述驅動PMOSFET的漏極；所述第二連接點連接至所述驅動PMOSFET的源極；所述第一連接點用于連接待測PMOSFET的漏極，所述第二連接點用于連接待測 PMOSFET的源極。