[發明專利]一種透射電鏡平面樣品的制備方法

在審

• 申請號: 202110725969.5
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113295500A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 邵笑;高金德
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/32;G01Q30/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，包括：

S1：提供一樣品芯片，在所述樣品芯片上確定目標截面，所述目標截面為所述透射電鏡平面樣品平行于第一平面的截面，其中，第一平面為與所述樣品芯片厚度方向垂直的平面；

S2：從所述樣品芯片中，提取包括所述目標截面的待制作樣品；

S3：對所述待制作樣品的側面，在所述目標截面沿所述芯片厚度方向的兩側，分別進行離子束標記；

S4：對所述待制作樣品的正面和背面進行刻蝕，直至暴露出所述目標截面兩側的離子束標記時，停止刻蝕，將刻蝕后得到的樣品作為所述透射電鏡平面樣品。

2.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，在所述S2中提取所述待制作樣品前，還包括：在所述樣品芯片的正面表面沉積第一保護層。

3.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S2中得到的待制作樣品的厚度為1um。

4.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S2之后所述S3之前，所述方法還包括：

S21，對所述待制作樣品的側面進行刻蝕，以清理所述待制作樣品的側面的表面附著的污染物，直至暴露所述目標截面所在位置的特征結構。

5.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S3中對所述待制作樣品進行離子束標記的離子束加速電壓為30KV，離子束電流為1pA。

6.如權利要求5所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S3中，在所述目標截面沿所述芯片厚度方向的兩側得到的離子束標記分別與所述目標截面的距離相等。

7.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S3之后所述S4之前，還包括：

S31，在所述待制作樣品的側面沉積第二保護層，所述第二保護層用以在進行S4步驟時，對待制備得到的所述透射電鏡平面樣品和所述離子束標記進行保護。

8.如權利要求7所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述S31中沉積第二保護層的離子束電流為26pA。

9.如權利要求2或權利要求8所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述第一保護層和所述第二保護層的材料為碳。

10.如權利要求1所述的透射電鏡平面樣品的制備方法，其特征在于，所述透射電鏡平面樣品的厚度為100nm。