[發明專利]顯示面板窄邊框的測試方法與顯示面板在審
| 申請號: | 202110725020.5 | 申請日: | 2021-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN113437128A | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 王玉;樊聰;董向丹;都蒙蒙;袁長龍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 邊框 測試 方法 | ||
1.一種顯示面板窄邊框的測試方法,其特征在于,包括:
提供一顯示面板,包括襯底基板,所述襯底基板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區;所述襯底基板的所述非顯示區上形成有預設寬度的低電平信號線;
將所述顯示面板至少一個側邊的所述低電平信號線的寬度進行減窄,形成目標寬度的低電平信號線;
根據所述目標寬度的低電平信號線,對所述顯示面板進行功能測試;
若功能測試通過,則確定所述低電平信號線的寬度可減至所述目標寬度。
2.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述測試方法還包括:
若根據所述目標寬度的低電平信號線,功能測試不通過;
則確定所述低電平信號線的寬度不可減至所述目標寬度。
3.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述顯示面板包括:相對的上邊沿與下邊沿,以及位于所述上邊沿與所述下邊沿之間的兩個側邊沿;
對靠近所述側邊沿的所述低電平信號線的寬度進行減窄,形成靠近所述側邊沿的目標寬度的低電平信號線。
4.根據權利要求3所述的測試方法,其特征在于,對相對的兩個所述側邊沿對應的所述低電平信號線的寬度均進行減窄,在相對的兩側邊沿均形成目標寬度的低電平信號線。
5.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,將所述顯示面板至少一個側邊的所述低電平信號線的寬度進行減窄,包括:
沿所述低電平信號線的延伸方向,通過隔離槽在所述低電平信號線分割出隔離部,以形成所述目標寬度的低電平信號線;所述隔離部位于所述隔離槽靠近所述顯示區的一側。
6.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述低電平信號線包括位于襯底基板上的像素電極層與公共電極層;
沿所述低電平信號線的延伸方向,通過隔離槽在所述像素電極層分割出隔離部;
將所述顯示區的像素界定層延伸至在所述像素電極的隔離部與所述公共電極層之間,以將所述像素電極的分隔部與所述公共電極層絕緣隔離。
7.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述襯底基板的非顯示區上包括:
柵絕緣層,設于所述襯底基板的一側;
第一源漏金屬層,設于所述柵絕緣層背離所述襯底基板的一側;
鈍化層,設于所述柵絕緣層背離所述襯底基板的一側,并從所述顯示區靠近所述非顯示區的一側延伸至所述第一源漏金屬層上,覆蓋部分所述第一源漏金屬層;
第一平坦層,設于所述鈍化層背離所述襯底基板的一側,并覆蓋所述鈍化層;
第二源漏金屬層,設于所述第一平坦層背所述鈍化層的一側,并覆蓋第一平坦層以及部分所述第一源漏金屬層;
第二平坦層,設于所述第二源漏金屬層背離所述第一平坦層的一側;
像素電極層,設于所述第二平坦層背離所述襯底基板的一側,并覆蓋所述第二平坦層以及部分所述第二源漏金屬層;
公共電極層,設于所述像素電極層背離所述襯底基板的表面上;其中,所述第一源漏金屬層、第二源漏金屬層、像素電極層與公共電極層連接形成所述預設寬度的低電平信號線;
沿所述低電平信號線的延伸方向,在所述非顯示區上形成隔離槽,通過所述隔離槽將所述第一源漏金屬層、第二源漏金屬層、像素電極層與公共電極層分割為斷開的兩個部分,以在所述低電平信號線分割出隔離部,形成所述目標寬度的低電平信號線;
使所述顯示區的像素界定層延伸至在所述隔離部中的所述像素電極層與所述公共電極層之間,以將所述像素電極層與所述公共電極層絕緣分離。
8.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,將所述顯示面板至少一個側邊的所述低電平信號線的寬度進行減窄,包括:
沿所述低電平信號線的延伸方向,通過隔離槽在所述低電平信號線分割出主體部、隔離部與連接部,所述連接部連接所述主體部與所述隔離部;
在需要進行功能測試時,將所述隔離部與所述主體部之間的所述連接部的斷開,以使所述主體部形成所述目標寬度的低電平信號線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





