[發明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110724992.2
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113436982B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 楊天應;劉麗娟
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/482;H01L23/544
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成半導體層，所述半導體層包括有源區和位于所述有源區之外的無源區；

在所述有源區上制作源極、柵極和漏極，在所述無源區上制作柵極焊盤和漏極焊盤；

將所述柵極和所述柵極焊盤進行金屬互連，將所述漏極和所述漏極焊盤進行金屬互連，以形成第一器件結構；

在所述第一器件結構的所述源極上形成源極測試焊盤；

其中，所述源極測試焊盤形成于所述源極的內部區域。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一器件結構的所述源極上形成源極測試焊盤包括：

在所述第一器件結構遠離所述襯底的一面形成鈍化層；

在所述鈍化層上通過光刻、刻蝕工藝形成露出所述源極的第一開孔、露出所述柵極焊盤的第二開孔，以及露出所述漏極焊盤的第三開孔；

在所述第一開孔內填充金屬，以形成位于所述第一開孔內的所述源極測試焊盤。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述源極測試焊盤遠離所述襯底的一面與所述鈍化層的上表面平齊；或者，所述源極測試焊盤遠離所述襯底的一面自所述第一開孔內延伸至所述鈍化層遠離所述襯底的一面之外，所述源極測試焊盤遠離所述襯底的一面超出所述鈍化層的上表面。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一開孔內填充金屬，以形成位于所述第一開孔內的所述源極測試焊盤，包括：

在所述鈍化層上沉積第一光刻膠層，并通過光刻工藝在第一光刻膠層上開設第一窗口，以形成第二器件結構，其中，所述第一窗口在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一開孔在所述襯底上的正投影；

在所述第二器件結構上沉積種子金屬層；

在所述種子金屬層上沉積第二光刻膠層，并通過光刻工藝在所述第二光刻膠層上開設有第二窗口，所述第二窗口在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一開孔在所述襯底上的正投影，且位于所述第一窗口在所述襯底上的正投影之內；

通過電沉積工藝在所述第二窗口和所述第一開孔內沉積焊盤金屬層，所述焊盤金屬層和所述種子金屬層共同形成源極測試焊盤；

依次去除所述第二光刻膠層、露出的所述種子金屬層，以及所述第一光刻膠層。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述種子金屬層為Ti層；或者，所述種子金屬層為包括Ti層和Au層的疊層，其中，所述Ti層位于所述Au層和所述源極之間。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述Ti層的厚度大于或等于10nm。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述種子金屬層為包括Ti層和Au層的疊層時，所述種子金屬層還包括位于所述Ti層和所述Au層之間的中間金屬層，且所述中間金屬層的材料為Ni、Pt和Pd中的任意一種或多種的組合。

8.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一開孔內填充金屬，以形成位于所述第一開孔內的所述源極測試焊盤，包括：

在所述鈍化層上沉積第二光刻膠層，并通過光刻工藝在所述第二光刻膠層上開設有第二窗口，所述第二窗口在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一開孔在所述襯底上的正投影；

通過化學鍍工藝在所述第二窗口和所述第一開孔內形成焊盤金屬層，所述焊盤金屬層作為所述源極測試焊盤；

去除所述第二光刻膠層。

9.根據權利要求4至7任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述第二窗口的橫截面呈梯形，且所述梯形的短邊位于所述第二光刻膠層遠離所述襯底的一側。