[發(fā)明專利]一種硫電極的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110721792.1 | 申請日： | 2021-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN113611824B | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李仕琦;冷丹;汶飛;鄧天松;李麗麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/139 | 分類號： | H01M4/139;H01M4/38;H01M10/052 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233 | 代理人： | 陸永強(qiáng) |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電極 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硫電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1，將硫脲溶解于去離子水中得到硫脲的水溶液；
步驟S2，將碳材料與硫脲的水溶液均勻混合；
步驟S3，光照步驟S2制得的溶液，使得硫脲分解生成單質(zhì)硫，得到單質(zhì)硫均勻分散于碳材料中的硫電極；
在步驟S1中，在硫脲的水溶液中硫脲濃度為10 mol/L；
在步驟S2中，碳材料與硫脲的質(zhì)量比為1:8；
在步驟S3中，所采用的光源波長為375 nm。
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