[發明專利]半導體存儲器件的設計方法、裝置、存儲介質及制備方法

有效

• 申請號: 202110721672.1
• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號: CN113451313B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳敏;吳昊

1.一種半導體存儲器件的設計方法，所述半導體存儲器件包括呈陣列排布的多個單元電容器，其特征在于，所述方法包括：

獲取所述半導體存儲器件的目標電容值和單個單元電容器的電容值；其中，所述目標電容值小于所述多個單元電容器的并聯電容值；

根據所述目標電容值，從所述多個單元電容器中至少劃分出第一組電容器和第二組電容器，使得所述第一組電容器與所述第二組電容器的串聯電容值等于所述目標電容值；其中，所述第一組電容器的電容值為所述第一組電容器中所有單元電容器的并聯電容值，所述第二組電容器的電容值為所述第二組電容器中所有單元電容器的并聯電容值；

將所述多個單元電容器的上電極均連接至第一互連金屬層，將所述第一組電容器中各個單元電容器的下電極均連接至第二互連金屬層，將所述第二組電容器中各個單元電容器的下電極均連接至第三互連金屬層；

將所述第二互連金屬層連接第一電源電壓，將所述第三互連金屬層連接第二電源電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一組電容器中的各個單元電容器通過所述第一互連金屬層和所述第二互連金屬層彼此并聯連接；

所述第二組電容器中的各個單元電容器通過所述第一互連金屬層和所述第三互連金屬層彼此并聯連接。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一組電容器包括第一數量的單元電容器，所述第二組電容器包括第二數量的單元電容器；所述目標電容值、單個單元電容器的電容值、所述第一數量和所述第二數量滿足如下關系式：

其中，C_T為所述目標電容值，a為所述第一數量，b為所述第二數量，C₀為單個單元電容器的電容值。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述多個單元電容器中除所述第一組電容器和所述第二組電容器外的所有單元電容器的下電極均連接至第四互連金屬層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述第四互連金屬層與所述第一互連金屬層互相連接。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述多個單元電容器中除所述第一組電容器和所述第二組電容器外的所有單元電容器的下電極分別連接至第四互連金屬層和第五互連金屬層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述第四互連金屬層與所述第一互連金屬層互相連接。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述第五互連金屬層與所述第一互連金屬層互相連接。

9.一種半導體存儲器件的電容設計裝置，所述半導體存儲器件包括呈陣列排布的多個單元電容器，其特征在于，包括：

電容值獲取模塊，用于獲取所述半導體存儲器件的目標電容值和單個單元電容器的電容值；其中，所述目標電容值小于所述多個單元電容器的并聯電容值；

電容劃分模塊，用于根據所述目標電容值，從所述多個單元電容器中至少劃分出第一組電容器和第二組電容器，使得所述第一組電容器與所述第二組電容器的串聯電容值等于所述目標電容值；其中，所述第一組電容器的電容值為所述第一組電容器中所有單元電容器的并聯電容值，所述第二組電容器的電容值為所述第二組電容器中所有單元電容器的并聯電容值；

電極連接模塊，用于將所述多個單元電容器的上電極均連接至第一互連金屬層，將所述第一組電容器中各個單元電容器的下電極均連接至第二互連金屬層，將所述第二組電容器中各個單元電容器的下電極均連接至第三互連金屬層；

電壓連接模塊，用于將所述第二互連金屬層連接第一電源電壓，將所述第三互連金屬層連接第二電源電壓。

10.一種電子設備，其特征在于，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有計算機程序，該計算機程序被所述處理器執行時，執行如權利要求1至8中任意一項所述的半導體存儲器件的設計方法。