[發明專利]一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架及其制備方法有效
| 申請號： | 202110721642.0 | 申請日： | 2021-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN113499483B | 公開（公告）日： | 2022-05-24 |
| 發明（設計）人： | 張璇;吳穎;蘇禮超;宋繼彬 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | A61L31/08 | 分類號： | A61L31/08;A61L31/14;A61L31/02;A61F2/82;A61B18/04 |
| 代理公司： | 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 魏思凡 |
| 地址： | 350108 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 硫化銅 涂層 修飾 記憶 合金 食管 支架 及其 制備 方法 | ||
1.一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，包括支架，其特征在于，支架的表面均勻覆蓋有一層納米硫化銅顆粒；
所述納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架的制備方法如下：
在堿性條件下還原多巴胺得到聚多巴胺包覆的記憶合金支架，接著在加熱條件下通過聚多巴胺高效吸附銅離子原位生長硫化銅，制得納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架。
2.根據權利要求1所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，所述支架是由鎳鈦合金絲編制而成的柱狀網格狀支架。
3.根據權利要求1所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，所述納米硫化銅顆粒的粒徑為50-150 nm。
4.根據權利要求1所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，所述納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架的制備方法具體包括如下步驟：
1）制備多巴胺包覆的鎳鈦支架：將鎳鈦合金支架洗凈后浸沒于1-15 mM Tris-HCl或Tris-buffer緩沖液中，往溶液中加入多巴胺使其終溶度為1-10 mg/mL，避光攪拌8-15 h后，取出支架并用去離子水清洗聚多巴胺涂層支架；
2）將聚多巴胺包覆的支架浸沒于400 mL 0.5-5 mg/mL的 PVA溶液中，1000rpm攪拌10-40min后將100-500mgCuSO4·5H2O和50-150mg Na2S2O3·5H2O加入到PVA溶液中，得到綠色膠狀溶液；
3）將混合液加熱到60-90℃并保持2 h，反應結束后自然冷卻到室溫，接著將產品取出清洗、烘干制得覆有CuS納米顆粒的記憶合金支架。
5.根據權利要求4所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，步驟1）中Tris-HCl或Tris-buffer緩沖液的pH為8.5。
6.根據權利要求4所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，步驟3）中產品取出后用去離子水沖洗三次。
7.根據權利要求4所述的一種納米硫化銅涂層修飾的記憶合金食管支架，其特征在于，步驟3）中烘干溫度為60 ℃，干燥時間為3-5 h。
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