[發(fā)明專利]一種功率控制方法、電路以及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110720897.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115603560A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 霍兆鏡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佛山市順德區(qū)美的電子科技有限公司;廣東美的制冷設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M1/42 | 分類號(hào): | H02M1/42;H02M1/08;H02M3/155 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 黃景輝;張穎玲 |
| 地址: | 528300 廣東省佛山市順*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功率 控制 方法 電路 以及 電子設(shè)備 | ||
一種功率控制方法、電路以及電子設(shè)備。本申請(qǐng)公開(kāi)了一種功率控制方法,方法應(yīng)用于功率控制電路;獲取功率控制電路輸入信號(hào)的信號(hào)狀態(tài);基于信號(hào)狀態(tài),確定至少兩個(gè)IGBT的時(shí)序信息;基于時(shí)序信息,依次循環(huán)控制至少兩個(gè)IGBT從第一狀態(tài)切換至第二狀態(tài);第一狀態(tài),表示至少兩個(gè)IGBT中的任一IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)且其它IGBT處于斷開(kāi)狀態(tài);第二狀態(tài),表示至少兩個(gè)IGBT中的每一IGBT均處于斷開(kāi)狀態(tài)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及電路控制技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種功率控制方法、電路以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
為了對(duì)電器設(shè)備的功率因數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié),通常會(huì)在電子設(shè)備中設(shè)置功率因數(shù)校正器(Power Factor Corrector,PFC),PFC通過(guò)電感對(duì)輸入電流以及輸出電壓進(jìn)行調(diào)整,同時(shí)通過(guò)電感對(duì)PFC的輸出進(jìn)行儲(chǔ)能濾波。在實(shí)際應(yīng)用中,通常采用絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作為PFC電路的開(kāi)關(guān)管。
在實(shí)際應(yīng)用中,PFC電路載頻通常在18kHZ-40kHZ之間,因此,為了滿足電路功率調(diào)整的需求,通常需要設(shè)置較大的電感以及較大的電容;與此同時(shí),IGBT的開(kāi)關(guān)頻率峰值為100kHZ,因此,為了實(shí)現(xiàn)高頻功率調(diào)整,則只能采用場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS),而MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí),其可靠性較低且短路耐量不足。因此,亟需一種能夠?qū)崿F(xiàn)高頻功率控制功能的電路結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)高頻率的功率調(diào)整和控制。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率控制方法、電路以及電子設(shè)備。
本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β士刂品椒ǎ诖_定功率控制電路輸入信號(hào)的信號(hào)狀態(tài)之后,基于上述信號(hào)狀態(tài)能夠確定用于控制至少兩個(gè)IGBT的時(shí)序信息,并根據(jù)該時(shí)序信息控制至少兩個(gè)IGBT中每一IGBT的工作狀態(tài),在每一IGBT的開(kāi)關(guān)頻率較低的情況下,通過(guò)至少兩個(gè)IGBT工作狀態(tài)的交替切換,就能夠顯著提高功率控制電路的功率控制頻率。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案是這樣的:
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率控制方法,所述方法應(yīng)用于功率控制電路;所述功率控制電路包括:第一儲(chǔ)能單元、并聯(lián)的至少兩個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT以及第二儲(chǔ)能單元;所述第一儲(chǔ)能單元連接所述功率控制電路的輸入端、至少兩個(gè)所述IGBT的第一端以及所述第二儲(chǔ)能單元的第一端;至少兩個(gè)所述IGBT的第二端分別連接至所述功率控制電路的輸入端、以及所述第二儲(chǔ)能單元的第二端;所述方法包括:
獲取所述功率控制電路輸入信號(hào)的信號(hào)狀態(tài);
基于所述信號(hào)狀態(tài),確定至少兩個(gè)所述IGBT的時(shí)序信息;
基于所述時(shí)序信息,依次循環(huán)控制至少兩個(gè)所述IGBT在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間切換;其中,所述第一狀態(tài),表示至少兩個(gè)所述IGBT中的任一IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)且其它IGBT處于斷開(kāi)狀態(tài);所述第二狀態(tài),表示至少兩個(gè)所述IGBT中的每一所述IGBT均處于斷開(kāi)狀態(tài)。
在一些實(shí)施方式中,所述基于所述時(shí)序信息,依次循環(huán)控制至少兩個(gè)所述IGBT在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間切換,包括:
在所述信號(hào)狀態(tài)表示所述輸入信號(hào)的功率大于或等于第一閾值的情況下,基于所述時(shí)序信息,在脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi)控制至少兩個(gè)所述IGBT切換至所述第一狀態(tài),在所述脈沖持續(xù)時(shí)間結(jié)束后,控制至少兩個(gè)所述IGBT切換至所述第二狀態(tài)。
在一些實(shí)施方式中,所述方法還包括:
在所述信號(hào)狀態(tài)表示所述輸入信號(hào)的功率小于第二閾值的情況下,在所述時(shí)序信息的同一脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi)控制至少兩個(gè)所述IGBT中切換至第三狀態(tài),在所述脈沖持續(xù)時(shí)間結(jié)束之后切換至所述第二狀態(tài);其中,所述第三狀態(tài),表示至少兩個(gè)所述IGTB中的每一IGBT同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)。
在一些實(shí)施方式中,所述方法還包括:
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
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