[發明專利]光學系統和操作光刻曝光設備的方法

在審

• 申請號: 202110718673.0
• 申請日: 2016-07-05
• 公開（公告）號: CN113589655A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: W.B.J.哈克福特;R.P.霍杰沃爾斯特;P.T.羅格斯;K.希爾德;T.格魯納
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種光學系統，包含至少一個反射鏡布置(1)，所述反射鏡布置包括：

-多個反射鏡元件(2a、2b)，其鄰近地布置并且共同形成所述反射鏡布置(1)的反射鏡表面(3)；

-每個反射鏡元件(2a、2b)包括基板(4a、4b)和在所述基板上(4a、4b)的多層布置(5a、5b)；

-所述多層布置(5a、5b)包含反射層系統(6a、6b)和壓電層(8a、8b)，所述反射層系統(6a、6b)具有形成所述反射鏡表面(3)的部分的輻射入射表面(7a、7b)，所述壓電層(8a、8b)布置在所述輻射入射表面(7a、7b)和所述基板(4a、4b)之間；

-每個反射鏡元件(2a、2b)包括與所述壓電層(8a、8b)相關聯的電極布置(9a、9b、9c)，以產生電場，其中所述壓電層(8a、8b)的層厚度(tp)能夠由所述電場控制；

互連布置(10)，其包括半導體材料且使鄰近的電極布置(9a、9b、9c)的鄰近的第一電極和第二電極(9a、9b)電互連，其中所述互連布置(10)在所述第一電極和第二電極(9a、9b)之間的間隙區域(11)中的電阻(Ri)大于所述第一電極和第二電極(9a、9b)的電阻(Rw)，并且小于具有所述第一電極和第二電極(9a、9b)的所述鄰近的電極布置(9a、9b、9c)的壓電層(8a、8b)的電阻(RI)；

反饋系統，其配置為執行以下步驟：

通過測量包括半導體材料的所述互連布置的電阻，測量通過吸收所述反射鏡布置內的照射輻射導致的在所述反射鏡布置內的局部溫度分布，所述局部溫度分布提供波前誤差的源的估計；

基于所述局部溫度分布的測量，生成用于所述反射鏡布置的反饋信號；

基于所述反饋信號，單獨調節施加到對應電極布置的特別的電壓；

從而導致在所述反射鏡布置的反射鏡表面上的波前輪廓的空間解析設定。

2.根據權利要求1所述的光學系統，其中所述互連布置(10)在所述第一電極和第二電極(9a、9b)之間的所述間隙區域(11)中的電阻(Ri)在1千歐到10兆歐的范圍中。

3.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述第一電極和第二電極(9a、9b)的電阻(Rw)小于或等于1千歐。

4.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中具有所述第一電極和第二電極(9a、9b)的所述鄰近的電極布置(9a、9b、9c)的壓電層(8a、8b)電阻(RI)大于或等于10兆歐。

5.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述互連布置包括使多個或所有反射鏡元件(2a、2b)互連的公共互連層(10)。

6.根據權利要求1或2所述的光學系統，其特征在于多個或所有反射鏡元件(2)的壓電層(8a、8b)形成公共壓電層(8)。

7.根據權利要求1或2所述的光學系統，其特征在于多個或所有反射鏡元件(2)的反射層系統(6a、6b)形成公共反射層系統(6)。

8.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述反射層系統(6a、6b)適配于反射低于300納米的波長范圍中的電磁輻射。

9.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述反射層系統(6a、6b)包括多個層對(12、13)，該層對具有高折射率層材料和低折射率層材料的交替層(12、13)。

10.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述互連布置的互連層(10)的厚度(ti)在從50納米到500納米的范圍中。

11.根據權利要求1或2所述的光學系統，其中所述第一電極和第二電極(9a、9b)的最大電極直徑(D)在從0.5到50毫米的范圍中。