[發(fā)明專利]包括具有外絕緣層的基板的半導(dǎo)體封裝

在審

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• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN114171510A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金應(yīng)叫;金鐘潤;全光宰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/16
• 分類號(hào): H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張霞

一種半導(dǎo)體封裝，可以包括：基板和在基板上的半導(dǎo)體芯片。基板可以包括：內(nèi)絕緣層；再分布層，在內(nèi)絕緣層中；外絕緣層，在內(nèi)絕緣層上；連接焊盤，設(shè)置在外絕緣層中并且電連接到再分布層；以及，接地電極，在外絕緣層中。連接焊盤的頂表面可以通過外絕緣層的頂表面暴露，并且連接焊盤的頂表面的高度可以低于外絕緣層的頂表面的高度。接地電極的底表面的高度可以高于再分布層的頂表面的高度，并且外絕緣層覆蓋接地電極的頂表面。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2020年9月11日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請No.10-2020-0117172的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及其中設(shè)置有具有外絕緣層的基板的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體封裝被配置為允許集成電路芯片被容易地用作電子產(chǎn)品的一部分。通常，半導(dǎo)體封裝包括諸如印刷電路板(PCB)和/或再分布層(RDL)之類的基板、以及安裝在其上的半導(dǎo)體芯片。每個(gè)半導(dǎo)體封裝中安裝有多個(gè)半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片被配置為具有各種功能。例如，可以將多個(gè)存儲(chǔ)器芯片和至少一個(gè)邏輯芯片安裝在一個(gè)基板上。存儲(chǔ)器芯片通過硅通孔(TSV)彼此電連接，并且被設(shè)置為具有堆疊的形狀。這種類型的半導(dǎo)體封裝可以被稱為“2.5D封裝”。由于半導(dǎo)體封裝的輸入/輸出端子的數(shù)量已經(jīng)增多，半導(dǎo)體封裝的尺寸也已經(jīng)增大。因此，用于減小半導(dǎo)體封裝的尺寸的技術(shù)會(huì)變得重要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種防止在連接端子之間形成短路的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種在其中設(shè)置小間距的連接端子的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種被配置為具有改善的信號(hào)完整性(SI)特性的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種可以容易地執(zhí)行下填充層的填充工藝的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種被配置為防止或抑制翹曲問題的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝，可以包括：基板和在基板上的半導(dǎo)體芯片。基板可以包括：內(nèi)絕緣層；再分布層，在內(nèi)絕緣層中；外絕緣層，在內(nèi)絕緣層上；連接焊盤，設(shè)置在外絕緣層中并且電連接到再分布層；以及，接地電極，在外絕緣層中。連接焊盤的頂表面可以通過外絕緣層的頂表面暴露，并且連接焊盤的頂表面的高度可以低于外絕緣層的頂表面的高度。接地電極的底表面的高度可以高于再分布層的頂表面的高度，并且外絕緣層覆蓋接地電極的頂表面。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝，可以包括：基板；邏輯芯片，在基板上；以及，高寬帶存儲(chǔ)器(HBM)，設(shè)置在基板上并且與邏輯芯片水平地間隔開。基板可以包括：內(nèi)絕緣層；再分布層，在內(nèi)絕緣層中；外絕緣層，在內(nèi)絕緣層上；連接焊盤，設(shè)置在外絕緣層中并且電連接到再分布層；以及，連接通路，將連接焊盤連接到再分布層。連接焊盤的頂表面可以通過外絕緣層的頂表面暴露，并且連接焊盤的頂表面的高度可以低于外絕緣層的頂表面的高度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝，可以包括：再分布基板；半導(dǎo)體芯片，在再分布基板上；下部球，將再分布基板電連接到半導(dǎo)體芯片；以及，下填充層，在再分布基板和半導(dǎo)體芯片之間。再分布基板可以包括：內(nèi)絕緣層；再分布層，在內(nèi)絕緣層中；外絕緣層，在內(nèi)絕緣層上；連接焊盤，設(shè)置在外絕緣層中并且電連接到再分布層；連接通路，將連接焊盤連接到再分布層；以及，接地電極，在外絕緣層中。連接焊盤可以設(shè)置在暴露孔中，暴露孔設(shè)置在外絕緣層中，并且連接焊盤的頂表面的高度可以低于外絕緣層的頂表面的高度。接地電極可以與連接焊盤水平地間隔開，并且接地電極的底表面的高度可以與連接焊盤的底表面的高度相同。外絕緣層可以覆蓋接地電極的頂表面。下部球可以通過在下部球和連接焊盤之間形成的中間層電連接到連接焊盤。下填充層的一部分可以填充暴露孔的一部分。