[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110714844.2
• 申請(qǐng)日: 2021-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN113314547A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王利忠;寧策;邸云萍;童彬彬;黃睿;周天民;楊維;雷利平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 李娜

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：顯示區(qū)以及與所述顯示區(qū)相連的非顯示區(qū)；所述顯示區(qū)包括陣列排布的多個(gè)子像素；

其中，所述非顯示區(qū)包括至少一個(gè)多晶硅晶體管；所述子像素包括氧化物晶體管和像素電極；

所述氧化物晶體管的柵極與所述多晶硅晶體管的第一極和第二極同層設(shè)置；所述氧化物晶體管的有源層與所述像素電極同層設(shè)置且相接觸；所述氧化物晶體管的有源層包括氧化物半導(dǎo)體材料，所述像素電極包括氧化物導(dǎo)體材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括襯底，所述多晶硅晶體管和所述子像素設(shè)置在所述襯底的同一側(cè)；

所述多晶硅晶體管為頂柵型多晶硅晶體管，所述氧化物晶體管的柵極設(shè)置在所述氧化物晶體管的有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述氧化物晶體管的柵極在所述襯底上的正投影與所述氧化物晶體管的有源層在所述襯底上的正投影至少部分交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物晶體管的柵極在所述襯底上的正投影位于所述氧化物晶體管的有源層在所述襯底上的正投影以內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述氧化物晶體管的有源層和所述氧化物晶體管的柵極之間，且所述柵絕緣層為富氧氧化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物晶體管還包括連接電極，所述連接電極設(shè)置在所述氧化物晶體管的柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)、且與所述氧化物晶體管的有源層電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素還包括遮光部，所述遮光部設(shè)置在所述氧化物晶體管的有源層靠近所述襯底的一側(cè)、且所述氧化物晶體管的有源層在所述襯底上的正投影位于所述遮光部在所述襯底上的正投影以內(nèi)，所述像素電極在所述襯底上的正投影與述遮光部在所述襯底上的正投影部分交疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述多晶硅晶體管的柵極與所述遮光部同層設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素還包括開口區(qū)以及與所述開口區(qū)相連的非開口區(qū)；

所述氧化物晶體管設(shè)置在所述非開口區(qū)，所述像素電極包括第一子電極和第二子電極，所述第一子電極的兩側(cè)分別與所述第二子電極和所述氧化物晶體管的有源層相接觸，所述第一子電極設(shè)置在所述非開口區(qū)，所述第二子電極設(shè)置在所述開口區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素的所述開口區(qū)還包括第一鈍化部和公共電極；

所述第一鈍化部覆蓋所述第二子電極，所述公共電極設(shè)置在所述第一鈍化部遠(yuǎn)離所述第二子電極一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為面狀電極，所述公共電極包括至少一個(gè)條形子電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第二鈍化部，所述第二鈍化部覆蓋所述多晶硅晶體管和所述氧化物晶體管。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括平坦部，所述平坦部位于設(shè)置在所述第二鈍化部靠近所述襯底的一側(cè)，且所述平坦部在所述襯底上的正投影與所述第一鈍化部在所述襯底上的正投影不交疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)還包括襯底、以及設(shè)置在所述襯底上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線；

所述柵線沿垂直于所述襯底的方向與所述氧化物晶體管的有源層交疊的部分為所述氧化物晶體管的柵極；所述柵線與所述多晶硅晶體管的第一極和第二極同層設(shè)置；

所述數(shù)據(jù)線沿垂直于所述襯底的方向與所述氧化物晶體管的有源層交疊的部分為所述氧化物晶體管的連接電極。