[發明專利]銅質引線框架及其表面處理方法、封裝體及其制備方法

有效

• 申請號: 202110712015.0
• 申請日: 2021-06-25
• 公開（公告）號: CN113594048B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 魯緯;陳志釗;徐俊
• 申請（專利權）人: 廣東華智芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495;H01L21/56;H01L23/31;C25F3/02;C25D11/34
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 袁薈

1.一種銅質引線框架的表面處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

將銅質引線框架依次進行脫脂處理、微蝕處理以及浸入電解氧化液中進行電解氧化處理；

所述銅質引線框架中，銅含量大于等于97％；所述電解氧化液中，電解氧化原液的體積分數為10％～15％，余量為水；所述電解氧化原液中包括質量濃度為200g/L～400g/L的堿和150g/L～250g/L的氧化劑；所述電解氧化處理的電流密度為0.05ASD～0.4ASD，所述電解氧化處理的溫度為50℃～70℃。

2.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述電解氧化處理的時間為15min～40min。

3.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述堿為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸氫鈉或碳酸氫鉀中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述氧化劑為過硫酸鈉、氯酸鈉或亞氯酸鈉中的一種或多種。

5.根據權利要求1～4任一項所述的表面處理方法，其特征在于，所述脫脂處理為化學脫脂和/或電解脫脂。

6.根據權利要求1～4任一項所述的表面處理方法，其特征在于，所述微蝕處理采用過硫酸鈉-硫酸體系、過硫酸銨-硫酸體系、雙氧水-硫酸體系中的一種或多種微蝕液體系進行處理。

7.根據權利要求1～4任一項所述的表面處理方法，其特征在于，所述脫脂處理后、所述微蝕處理前，對所述銅質引線框架進行酸洗；所述酸洗是指在常溫下，采用體積濃度為5％～10％的硫酸或鹽酸溶液將所述銅質引線框架浸泡1min～2min。

8.根據權利要求1～4任一項所述的表面處理方法，其特征在于，所述微蝕處理后、所述電解氧化處理前，對所述銅質引線框架進行酸洗；所述酸洗是指在常溫下，采用體積濃度為5％～10％的硫酸或鹽酸溶液將所述銅質引線框架浸泡1min～2min。

9.根據權利要求8所述的表面處理方法，其特征在于，所述酸洗后、所述電解氧化處理前，將所述銅質引線框架在質量濃度為3％～5％的堿液中常溫浸泡0.5min～1min，所述堿液中的堿為氫氧化鈉和/或氫氧化鉀。

10.一種銅質引線框架，其特征在于，由權利要求1～9任一項所述的表面處理方法處理得到。

11.一種封裝體，其特征在于，包括權利要求10所述的銅質引線框架。

12.一種封裝體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將權利要求10所述的銅質引線框架放入模具內，與塑膠在120℃以上的溫度下模內成型。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述塑膠為聚對苯二甲酸丁二醇脂、聚苯硫醚樹脂、聚酰胺樹脂、高分子液晶聚合物以及其玻纖增強塑料中的一種或多種。