[發明專利]一種正向閾值電壓可調節的施密特觸發器在審
| 申請號： | 202110710441.0 | 申請日： | 2021-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN113381737A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 吳佳;李禮;吳葉楠 | 申請（專利權）人： | 上海威固信息技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/3565 | 分類號： | H03K3/3565;H03K3/011 |
| 代理公司： | 上海塔科專利代理事務所(普通合伙) 31380 | 代理人： | 耿恩華 |
| 地址： | 201702 上海市青*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 正向 閾值 電壓 調節 施密特觸發器 | ||
1.一種正向閾值電壓可調節的施密特觸發器，包括PMOS晶體管組、第一NMOS晶體管(2)及反相器(5)；其特征在于，所述PMOS晶體管組包括第一PMOS晶體管(1)、第二PMOS晶體管(4)、第三PMOS晶體管(3)；
第一PMOS晶體管(1)的漏極連接第一NMOS晶體管(2)的漏極、第二PMOS晶體管(4)的漏極和反相器(5)的輸入端，第一PMOS晶體管(1)的源極和體連接電源VDD，柵極連接輸入信號IN；
第二PMOS晶體管(4)的漏極連接第一PMOS晶體管(1)的漏極、第一NMOS晶體管(2)的漏極和反相器(5)的輸入端，第二PMOS晶體管(4)的源極連接第三PMOS晶體管(3)的漏極，體連接電源VDD，第二PMOS晶體管(4)的柵極連接反相器(5)的輸出端；
第三PMOS晶體管(3)的漏極連接第二PMOS晶體管(4)的源極，第三PMOS晶體管(3)的源極和體連接電源VDD，第三PMOS晶體管(3)的柵極連接正向閾值電壓調節信號ADP。
2.根據權利要求1所述的施密特觸發器，其特征在于：所述反相器(5)的輸入端連接第一PMOS晶體管(1)的漏極、第一NMOS晶體管(2)的漏極和第二PMOS晶體管(4)的漏極，輸出端連接輸出信號OUT。
3.根據權利要求2所述的施密特觸發器，其特征在于：所述反相器(5)電路包括第四PMOS晶體管(6)和第二NMOS晶體管(7)，其中第四PMOS晶體管(6)的源極和體連接電源VDD，第四PMOS晶體管(6)的漏極連接第二NMOS晶體管(7)的漏極和輸出端OUT，第四PMOS晶體管(6)的柵極連接輸入端IN，第二NMOS晶體管(7)的源極和體連接地GND，第二NMOS晶體管(7)的漏極連接第四PMOS晶體管(6)的漏極和輸出端OUT，第二NMOS晶體管(7)的柵極連接輸入端IN。
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